|
光電探測器光電測試 光電探測器一般需要先對晶圓進(jìn)行測試,封裝后再對器件進(jìn)行二次測試,完成最終的特性分析和分揀操作;光電探測器在工作時(shí),需要施加反向偏置電壓來(lái)拉開(kāi)光注入產(chǎn)生的電子空穴對,從而完成光生載流子過(guò)程,因此光電探測器通常在反向狀態(tài)工作;測試時(shí)比較關(guān)注暗電流、反向擊穿電壓、結電容、響應度、串擾等參數。 實(shí)施光電性能參數表征分析的最佳工具之一是數字源表(SMU)。數字源表作為獨立的電壓源或電流源,可輸出恒壓、恒流、或者脈沖信號,還可以當作表,進(jìn)行電壓或者電流測量;支持Trig觸發(fā),可實(shí)現多臺儀表聯(lián)動(dòng)工作;針對光電探測器單個(gè)樣品測試以及多樣品驗證測試,可直接通過(guò)單臺數字源表、多臺數字源表或插卡式源表搭建完整的測試方案。 數字源表搭建光電探測器光電測試方案 暗電流 暗電流是PIN /APD管在沒(méi)有光照的情況下,增加一定反置偏壓形成的電流;它的本質(zhì)是由PIN/APD本身的結構屬性產(chǎn)生的,其大小通常為uA級以下。測試時(shí)推薦使用普賽斯S系列或P系列源表,S系列源表最小電流100pA,P系列源表最小電流10pA。
反向擊穿電壓 外加反向電壓超過(guò)某一數值時(shí),反向電流會(huì )突然增大,這種現象稱(chēng)為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱(chēng)為二極管反向擊穿電壓。根據器件的規格不同,其耐壓指標也不一致,測試所需的儀表也不同,擊穿電壓在300V以下推薦使用S系列臺式源表或P系列脈沖源表,其最大電壓300v,擊穿電壓在300V以上的器件推薦使用E系列,最大電壓3500V。
C-V測試 結電容是光電二極管的一個(gè)重要性質(zhì),對光電二極管的帶寬和響應有很大影響。光電傳感器需要注意的是,PN結面積大的二極管結體積也越大,也擁有較大的充電電容。在反向偏壓應用中,結的耗盡區寬度增加，會(huì )有效地減小結電容,增大響應速度;光電二極管C-V測試方案由S系列源表、LCR、測試夾具盒以及上位機軟件組成。 響應度 光電二極管的響應度定義為在規定波長(cháng)和反向偏壓下,產(chǎn)生的光電流(IP)和入射光功率(Pin)之比,單位通常為A/W。響應度與量子效率的大小有關(guān),為量子效率的外在體現,響應度R=lP/Pino測試時(shí)推薦使用普賽斯S系列或P系列源表,S系列源表最小電流100pA,P系列源表最小電流10pA。 光串擾測試(Crosstalk) 在激光雷達領(lǐng)域,不同線(xiàn)數的激光雷達產(chǎn)品所使用的光電探測器數量不同,各光電探測器之間的間隔也非常小,在使用過(guò)程中多個(gè)感光器件同時(shí)工作時(shí)就會(huì )存在相互的光串擾,而光串擾的存在會(huì )嚴重影響激光雷達的性能。 光串擾有兩種形式:一種在陣列的光電探測器上方以較大角度入射的光在被該光電探測器完全吸收前進(jìn)入相鄰的光電探測器并被吸收;二是大角度入射光有一部分沒(méi)有入射到感光區,而是入射到光電探測器間的互聯(lián)層并經(jīng)反射進(jìn)入相鄰器件的感光區。 陣列探測器光串擾測試主要是進(jìn)行陣列直流串擾測試,是指在規定的反向偏壓、波長(cháng)和光功率下,陣列二極管中光照單元的光電流與任意一個(gè)相鄰單元光電流之比的最大值。測試時(shí)推薦使用普賽斯S系列、P系列或者CS系列多通道測試方案。 |
