全新LPD碳化硅三相全橋模塊2.5nH超低電感驚艷亮相:該模塊采用創(chuàng )新封裝和三相全橋設計,內置1200V碳化硅MOSFET和熱敏電阻,雜散電感低至2.5nH,工作安全穩定。工作電源電壓可達900V-1000V,工作頻率可達30kHz,輸出功率可達300kW。LPD模塊具有耐久、安全的性能優(yōu)勢,性?xún)r(jià)比超國外產(chǎn)品,適用于電動(dòng)汽車(chē)、氫能源汽車(chē)、高速電機驅動(dòng)、光伏風(fēng)能發(fā)電等領(lǐng)域。![]() ![]() ![]() SiC MOSFET作為第三代功率半導體器件,以其阻斷電壓高、工作頻率高,耐高溫能力強、通態(tài)電阻低和開(kāi)關(guān)損耗小等特點(diǎn)成為當前最具市場(chǎng)前景的半導體產(chǎn)品之一,正廣泛應用于新能源汽車(chē)、光伏逆變器、無(wú)線(xiàn)電能傳輸等領(lǐng)域。 |
碳化硅MOS驅動(dòng)設計及SiC柵極驅動(dòng)器示例 - 模擬電子技術(shù) - 電子工程網(wǎng) http://selenalain.com/thread-838162-1-1.html |
碳化硅模塊(全碳SiC功率模組)國產(chǎn)SiC Module - 工業(yè)/測控 http://selenalain.com/thread-842540-1-1.html |
碳化硅MOSFET驅動(dòng)設計合訂本https://pan.baidu.com/s/1OuA0xE_3WQ7RTXWszbFrug 提取碼8gxs |
基于雙脈沖實(shí)驗的Sic與IGBT特性對比研究 https://mp.weixin.qq.com/s/TA0FoJiKuKr-BhN_-cvlCw ![]() |
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