全新LPD碳化硅三相全橋模塊2.5nH超低電感驚艷亮相:該模塊采用創(chuàng )新封裝和三相全橋設計，內置1200V碳化硅MOSFET和熱敏電阻，雜散電感低至2.5nH，工作安全穩定。工作電源電壓可達900V-1000V，工作頻率可達30kHz，輸出功率可達300kW。LPD模塊具有耐久、安全的性能優(yōu)勢，性?xún)r(jià)比超國外產(chǎn)品，適用于電動(dòng)汽車(chē)、氫能源汽車(chē)、高速電機驅動(dòng)、光伏風(fēng)能發(fā)電等領(lǐng)域。
碳化硅MOS管-全碳SiC模塊產(chǎn)品應用、驅動(dòng)、系統方案詳解2024.pdf
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SiC MOSFET作為第三代功率半導體器件，以其阻斷電壓高、工作頻率高，耐高溫能力強、通態(tài)電阻低和開(kāi)關(guān)損耗小等特點(diǎn)成為當前最具市場(chǎng)前景的半導體產(chǎn)品之一，正廣泛應用于新能源汽車(chē)、光伏逆變器、無(wú)線(xiàn)電能傳輸等領(lǐng)域。 |
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基于雙脈沖實(shí)驗的Sic與IGBT特性對比研究 https://mp.weixin.qq.com/s/TA0FoJiKuKr-BhN_-cvlCw  |
| 碳化硅MOS驅動(dòng)設計及特點(diǎn)(SiC MOSFET) -知乎https://zhuanlan.zhihu.com/p/657391957 |
| 碳化硅 MOS驅動(dòng)參考圖及柵極驅動(dòng)器（SiC第三代半導體） - 知乎 https://zhuanlan.zhihu.com/p/654117118 |
