基于MCU內部Flash的在線(xiàn)仿真器設計方案

　　由于市場(chǎng)對MCU功能的要求總是不斷變化和升級，MCU應用的領(lǐng)域也不斷擴展，因此往往需要對最初的設計進(jìn)行修改。Flash MCU與以往OTP/MASK MCU相比，最大的優(yōu)點(diǎn)就在于可進(jìn)行高達上萬(wàn)次的擦寫(xiě)操作，順應了MCU功能不斷修改的需求；另一方面，Flash MCU市場(chǎng)價(jià)格也在不斷下降。實(shí)際上，Flash MCU工作時(shí)Flash的延時(shí)、讀寫(xiě)時(shí)充等特性是非常，程序存儲在MCU外部仿真板上的SRAM中，由額外的硬件邏輯來(lái)模擬Flash的這些特性是費時(shí)低效的；同時(shí)將Flash和MCU內嵌的其他類(lèi)型存儲器如SRAM、ROM等區分開(kāi)來(lái)也是十分重要的。如果在程序的調試階段就可以反映出這特性，有且于實(shí)現程序從仿真器到商用MCU芯片的無(wú)縫轉移。
　　1 關(guān)于Flash MCU
　　Flash MCU的構成如圖1所示，主要由CPU核、Flash IP及其控制模塊、SRAM IP及基控制模塊、WatchDog、PMU（Power Manage Unit，功耗管理單元）、I/O端口以及ISP在線(xiàn)編程接口等組成。不同功能的Flash MCU還包含一些各自獨特的應用模塊單元，如用于尋呼的Flash MCU所包含的解碼模塊。對于用來(lái)構成在線(xiàn)仿真器的Flash MCU還可能包括仿真接口單元。本文在討論Flash MCU的在線(xiàn)仿真時(shí)，指的都是包含仿真接口的Flash MCU。
　　Flash存儲器幾乎擁有現今追求個(gè)性化的用戶(hù)所需要的所有優(yōu)點(diǎn)：掉電數據不丟失、快速的數據存取時(shí)間、電可擦除、容量大、在線(xiàn)（系統）可編程、價(jià)格低廉以及足夠多的擦寫(xiě)次數的高可靠性等，已成為新一代嵌入式應用的首選存儲器。與Flash MCU相比，MASK（掩膜）MCU盡管在大指生產(chǎn)時(shí)仍具備一定價(jià)格優(yōu)勢，但其升級不便的缺點(diǎn)，隨著(zhù)今后Flash成本的進(jìn)步降低和MCU功能需求的逐漸增多，將表現得更為顯著(zhù)。
　　2 基于外部SRAM的MCU在線(xiàn)仿真器
　　SRAM不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。而DRAM（Dynamic Random Access Memory）每隔一段時(shí)間，要刷新充電一次，否則內部的數據即會(huì )消失，因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點(diǎn)，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內存可以設計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積，且功耗較大。所以在主板上SRAM存儲器要占用一部分面積。
　　一種是置于CPU與主存間的高速緩存，它有兩種規格：一種是固定在主板上的高速緩存（Cache Memory ）；另一種是插在卡槽上的COAST（Cache ON A Stick）擴充用的高速緩存，另外在CMOS芯片1468l8的電路里，它的內部也有較小容量的128字節SRAM，存儲我們所設置的配置數據。還有為了加速CPU內部數據的傳送，自80486CPU起，在CPU的內部也設計有高速緩存，故在Pentium CPU就有所謂的L1 Cache（一級高速緩存）和L2Cache（二級高速緩存）的名詞，一般L1 Cache是內建在CPU的內部，L2 Cache是設計在CPU的外部，但是Pentium Pro把L1和L2 Cache同時(shí)設計在CPU的內部，故Pentium Pro的體積較大。Pentium II又把L2 Cache移至CPU內核之外的黑盒子里。
　　MCU仿真器的一種常見(jiàn)做法是，將用戶(hù)的待調試程序（以下簡(jiǎn)稱(chēng)用戶(hù)程序）存儲在MCU外部仿真板的SRAM（以下簡(jiǎn)稱(chēng)外部SRAM）中，在bond-out MCU的外部結構仿真監控硬件（以下簡(jiǎn)稱(chēng)外部仿真邏輯），當用戶(hù)程序在仿真器中調試完成后，編程到商用MCU芯片中，應用到用戶(hù)系統。在商用MCU中，這些仿真接口信號不會(huì )出現在芯片封裝的管腳上。
　　在Flash MCU沒(méi)有被廣泛應用之前，仿真器設計公司通常將用戶(hù)程序和監控程序都存儲在外部SRAM中，這種做法基本上可以反映SRAM MCU真實(shí)的運行情況，對用戶(hù)程序的調度效果影響不大。但是對于Flash MCU而言，則存在一定的問(wèn)題。畢競SRAM和Flash在工藝和讀寫(xiě)時(shí)序上相去甚遠，CPU運行存儲在SRAM和Flash中的程序，情況是完全不同的。有可能出現程序存儲的仿真器的外部SRAM中運行良好，但是編程到商用MCU中工作起來(lái)卻不正常。隨著(zhù)Flash MCU在 MCU市場(chǎng)中的比重越來(lái)越大，這一問(wèn)題顯得越來(lái)越突出，有必要加以重視。
　　本文介紹的Flash MCU仿真器的設計方法，幾乎不增加MCU的仿真接口信號和芯片設計的復雜程度，就可以接近程序在商用MCU中的運行情況，實(shí)現用戶(hù)程序從仿真器到商用MCU的良好轉移。
　　3 基于MCU內部Flash的在線(xiàn)仿真器的一種設計方法
　　圖2是Flash MCU仿真器系統構成示意圖，其中的虛線(xiàn)接口信號是MCU的仿真接口，通常包括仿真使能信號，bond-out MCU中的CPU的地址、數據、讀/寫(xiě)和取指等信號，以及少數幾個(gè)用于仿真的控制信號。仿真接口是Flash MCU與外部仿真邏輯之間的橋梁，使得外部仿真邏輯能夠監控MCU的內部狀態(tài)。
　　3.1 仿真器的工作原理
　　仿真器內部的P口等硬件資源和51系列單片機基本是完全兼容的。仿真主控程序被存儲在仿真器芯片特殊的指定空間內，有一段特殊的地址段用來(lái)存儲仿真主控程序，仿真主控程序就象一臺電腦的操作系統一樣控制仿真器的正確運轉。仿真器和電腦上的上位機軟件（即KEIL）是通過(guò)串口相連的，通過(guò)仿真器芯片的RXD和TXD負責接收電腦主機發(fā)來(lái)的控制數據，TXD負責給電腦主機發(fā)送反饋信息�？刂浦噶钣蒏EIL發(fā)出，由仿真器內部的仿真主控程序負責執行接收到的數據，并且進(jìn)行正確的處理。進(jìn)而驅動(dòng)相應的硬件工作，這其中也包括把接收到的BIN或者其它格式的程序存放到仿真器芯片內部用來(lái)存儲可執行程序的存儲單元（這個(gè)過(guò)程和把程序燒寫(xiě)到51芯片里面是類(lèi)似的，只是仿真器的擦寫(xiě)是以覆蓋形式來(lái)做的），這樣就實(shí)現了類(lèi)似編程器反復燒寫(xiě)來(lái)試驗的功能！不同的是通過(guò)仿真主控程序可以做到讓這些目標程序做特定的運行，比如單步、指定斷點(diǎn)、指定地址等，并且通過(guò)KEIL可時(shí)時(shí)觀(guān)察到單片機內部各個(gè)存儲單元的狀態(tài)。仿真器和電腦主機聯(lián)機后就象是兩個(gè)精密的齒輪相互咬合的關(guān)系，一量強行中斷這種聯(lián)系（比如強行給仿真器手動(dòng)復位或都撥支聯(lián)機線(xiàn)等），電腦就會(huì )提示聯(lián)機出現問(wèn)題，這也體現了硬件仿真的特性，即“所見(jiàn)即所得”。這些都是編程器無(wú)法做到的。這些給調試、修改、以及生成最終程序創(chuàng )造了比較有力的保證，從而實(shí)現較高的效率。
　　仿真器工作時(shí)，CPU的取指空間需要在內外存儲器之間反復切換。CPU地址空間劃分示意圖如圖3所示�？傮w上，仿真器的工作受圖4所示的狀態(tài)機控制。該狀態(tài)機共有四個(gè)狀態(tài)：
　　•用戶(hù)程序運行態(tài)（簡(jiǎn)稱(chēng)用戶(hù)態(tài)）
　　仿真器復位后，處在運行用戶(hù)程序的狀態(tài)。在該狀態(tài)下，CPU運行存儲在內部Flash中的用戶(hù)程序；外部仿真邏輯實(shí)時(shí)監測仿真接口，等待程序中斷事件的發(fā)生，進(jìn)入下一狀態(tài)-跳轉態(tài)。
　　用戶(hù)程序通過(guò)MCU的ISP（在線(xiàn)編程接口）編程到內部Flash中，由Flash MCU的專(zhuān)用編程器完成。在設計bond-out MCU時(shí)，應該考慮與非bond-out MCU在編程時(shí)管腳的一致性。
　　外部SRAM用來(lái)存儲監控程序和監時(shí)數據。
　　•跳轉態(tài)
　　一旦程序中斷事件發(fā)生，需要切換CPU的取指空間，跳轉到監控程序窗口。
　　由于在程序中何處中斷是不可預知的，因此不可能在用戶(hù)程序中預先安插好用于空間切換的跳轉指令。所以需要一個(gè)專(zhuān)門(mén)的狀態(tài)來(lái)插入跳轉指令碼和跳轉的目的地址，即監控程序的入口地址，強制CPU運行監控程序。監控程序窗口是劃分CPU地址空間時(shí)，為仿真功能預留的地址空間，空間大小視所需的監控程序的大小而定，監控程序的大小在一定程序上取決于仿真功能的強弱。
　　CPU從仿真接口讀跳轉指令碼和跳轉地址。MCU外部仿真邏輯同時(shí)使能程序空間切換信號，屏蔽MCU的所外部中斷，停止MCU中CPU外圍模塊的時(shí)鐘，也就相當于屏蔽了MCU的所有內部中斷。當程序空間的切換完成后，仿真器進(jìn)入監控態(tài)，運行存儲在外部SRAM中的監程序。
　　•監控態(tài)
　　在監控狀態(tài)下，CPU運行存儲在外部SRAM中的監控程序；繼續禁止MCU的所有外部中斷，停止MCU中CPU外圍硬件模塊的時(shí)鐘。
　　監控程序的任務(wù)是獲取MCU當前的狀態(tài)，接受軟件的調試命令，控制MCU的下一步運行。監控程序可以寫(xiě)得很簡(jiǎn)單，僅僅獲取CPU特殊寄存器和外圍硬件寄存器的值，實(shí)現監視功能。如MOTOROLA的HC6808就可以通過(guò)在監控程序開(kāi)始處加入以下程序段得到這些寄存器的值。對于CPU指令集不支持讀取全部特殊寄存器的MCU，可以通過(guò)在MCU內部增加測試邏輯得到。PC值即為程序中斷處CPU的取指地址。
　　PSHA ；將ACC的值壓入堆棧
　　TPA ；將CCR的值傳送給ACC
　　STA $2FEB ；將CCR的值存入存儲器，地址為$2FEB
　　PULA ；將ACC彈出堆棧
　　STA $2FEA ；將ACC有值存入存儲器，地址為$2FEA
　　STHX $5F ；將IDX（H：X）的值存入存儲器，地址為$005F
　　TSX ；將SP的值傳送給IDX（H：X）
　　STHX $5D ；將SP的值存放存儲器，地址為$005D
　　當不再繼續調試，給出開(kāi)始運行的命令，監控程序結束對運行命令的等待，并且將CPU特殊寄存器的值恢復。繼續運行監控程序，直到最后一條指令即跳轉指令進(jìn)行返回態(tài)。
　　•返回態(tài)
　　CPU執行監控程序的最后一條指令-跳轉指令。外部仿真邏輯在指令碼后緊接著(zhù)插入本次中斷事件的中斷點(diǎn)地址（進(jìn)入監控程序之前的用戶(hù)程序指令地址），CPU的取指空間需要跳回到用戶(hù)程序空間。取消對外部中斷的屏蔽，恢復CPU外圍模塊的工作時(shí)鐘，監控程序完成使命，回到用戶(hù)態(tài)，繼續運行內部Flash中的用戶(hù)程序。
　　3.2 內部仿真邏輯
　　為了構造合適的MCU的仿真接口，必須在MCU設計時(shí)，在MCU內部增加一個(gè)仿真接口模塊，稱(chēng)為內部仿真接口模塊。負責對仿真接口所需的CPU端口信號進(jìn)行處理（如出于減少bond-out信號線(xiàn)的考慮，將地址和數據總線(xiàn)復用），并產(chǎn)生外部仿真邏輯所需的控制信號如地址鎖存信號，接收來(lái)自外部仿真邏輯的控制信號如程序文憑間切換使能信號等。
　　3.3 外部仿真邏輯
　　外部仿真邏輯如圖2左部所示，負責接收計算機通過(guò)并口發(fā)送的仿真命令，監視MCU的仿真接口，控制仿真器的工作狀態(tài)。外部仿真邏輯由外部仿真接口模塊、斷點(diǎn)判斷模塊、軌跡紀錄模塊、并口接口模塊和外部SRAM讀寫(xiě)控制模塊等部分組成。各個(gè)模塊的作用簡(jiǎn)單介紹如下：
　　•外部仿真接口模塊
　　該模塊是外部仿真邏輯中仿真狀態(tài)機所在的核心模塊。功能包括：接收業(yè)自MCU的地址、數據、讀/寫(xiě)、取指、地址鎖存等信號；根據并口接口模塊給出的來(lái)自軟件的仿真命令，并接收來(lái)自斷點(diǎn)判斷模塊的斷點(diǎn)標志信號；產(chǎn)生送給MCU的程序空間切換使能信號；運行監控程序時(shí)，給出讀寫(xiě)外部SRAM所需信號，并接收讀出的數據，將其送給MCU。
　　•斷點(diǎn)判斷模塊
　　根據外部仿真接口模塊送來(lái)的CPU地址，讀取斷點(diǎn)標志存儲器中的相應值。如果讀出的標志為有效值，表示當前地址為斷地址。接收來(lái)自并口接口模塊的設置和清除斷點(diǎn)命令，將斷點(diǎn)存儲器的相應位置1或置0。允許設置任意數目的硬件斷點(diǎn)。
　　•軌跡紀錄模塊
　　將外部仿真接口模塊送來(lái)的CPU取指地址，存儲在軌跡紀錄的存儲器中。軌跡紀錄的存儲器采用的FIFO的方式，所能紀錄的軌跡長(cháng)度是有限的，存滿(mǎn)刷新。軟件讀取該存儲器，可以得到CPU的運行軌跡。
　　•并口接口模塊
　　并口接口（并行接口），簡(jiǎn)稱(chēng)并口，也就是LPT接口，是采用并行通信協(xié)議的擴展接口。并口的數據傳輸率比串口快8倍，標準并口的數據傳輸率為1Mbps。并口采用的是25針D形接頭。所謂“并行”，是指8位數據同時(shí)通過(guò)并行線(xiàn)進(jìn)行傳送，這樣數據傳送速度大大提高，但并行傳送的線(xiàn)路長(cháng)度受到限制，因為長(cháng)度增加，干擾就會(huì )增加，數據也就容易出錯。目前，并行接口主要作為打印機端口等。
　　提供仿真器和計算機并口之間的通信接口，可以針對不同的并口模式設計，以滿(mǎn)足不同模式的通信時(shí)序要求。
　　•外部SRAM讀寫(xiě)控制模塊
　　仿真過(guò)程中，仿真器的不同部分需要分時(shí)讀寫(xiě)外部SRAM，包括：并口接口模塊下裝程序到外部SRAM；MCU在監控態(tài)從外部SRAM中讀取程序指令，存儲臨時(shí)數據等。
　　對于Flash MCU而言，這種將用戶(hù)的待調試程序存儲在MCU內部的Flash中，將監控程序存儲在MCU外部的SRAM中，并在MCU外部構造仿真邏輯，通過(guò)對采用bond-out技術(shù)的MCU的bond-out管腳進(jìn)行監控，來(lái)實(shí)現在線(xiàn)仿真的做法，在芯片設計時(shí)不需要做太多的工作，而且可以反映程序真實(shí)的運行效果。而相對于用硬件平臺如FPGA仿真，則價(jià)格低廉許多，是一種種權衡折衷的方法。作者提取了一個(gè)簡(jiǎn)單的Flash MCU模型，用這種方法完成了仿真器的邏輯設計，用Synopsys DC綜合，用Quartus布線(xiàn)Altera APEX 20K200 FPGA中，用ModelSim5.4進(jìn)行了后仿真，完成了仿真驗證。結果證明這樣的做法是可行的。