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器件峰值輸出電流高達4 A，工作溫度高達+125 °C，傳播延遲低至200 ns 威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）推出兩款采用緊湊、高隔離延展型SO-6封裝的最新IGBT和MOSFET驅動(dòng)器---VOFD341A和VOFD343A。Vishay VOFD341A和VOFD343A的峰值輸出電流分別達3 A和4 A，工作溫度高達+125 °C，傳播延遲低至200 ns。 
今天發(fā)布的光耦合器包含一個(gè)AlGaAs LED（該LED通過(guò)光學(xué)耦合方式連接到具有功率輸出級的集成電路，用于太陽(yáng)能逆變器和微逆變器）、交流和無(wú)刷直流工業(yè)電機控制逆變器，以及用于UPS中交流/直流轉換的逆變級。器件非常適合直接驅動(dòng)額定值達1200 V / 100 A的IGBT。 VOFD341A和VOFD343A支持的工作溫度高，這為更緊湊的設計提供了更高的溫度安全裕量，而器件的高峰值輸出電流無(wú)需額外的驅動(dòng)級即可實(shí)現更快開(kāi)關(guān)。器件的傳播延遲低，可將開(kāi)關(guān)損耗降至最低程度，同時(shí)有助于進(jìn)行更精確的PWM調節。 光耦合器的高隔離封裝可支持高達1140 V的高工作電壓，因此可用于高壓逆變級，同時(shí)仍能保持足夠的電壓安全裕量。這些器件符合RoHS規范，可支持高達50 kV/μs的抗擾，從而防止在快速開(kāi)關(guān)功率級中出現下降函數。 VOFD341A和VOFD343A現可提供樣品并已實(shí)現量產(chǎn)，訂貨周期為六周。 |
