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Ultrabook設備和筆記本等應用的設計人員面臨降低電源設計中電感高度的挑戰，以滿(mǎn)足更薄的低側高終端系統要求。有鑒于此，飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)提供第二代XS DrMOS系列FDMF6708N，這是經(jīng)全面優(yōu)化的緊湊型集成MOSFET解決方案加驅動(dòng)器功率級解決方案，用于大電流、高頻率同步降壓DC-DC應用。FDMF6708N集成了一個(gè)驅動(dòng)器IC、兩個(gè)功率MOSFET和一個(gè)自舉肖特基二極管，采用熱性能增強型6x6mm2 PQFN Intel DrMOS v4.0標準封裝。 FDMF6708N可讓設計人員節省50%的占位面積，同時(shí)提供高開(kāi)關(guān)頻率和高功率密度。該器件的過(guò)零檢測(ZCD)功能改善了輕負載效率，延長(cháng)了電池壽命。與傳統分立解決方案不同，FDMF6708N使用最新的控制FET和SyncFET™ 技術(shù)以及具有更低源極電感的clip-bond封裝，在滿(mǎn)負載下提供高效率。而傳統分立解決方案需要更大的PCB空間、更長(cháng)的布局走線(xiàn)、更厚的電感，以及更多的元件，因而在使用較薄磁性元件所需的較高頻率下散熱性能不良。 FDMF6708N采用PQFN 6x6mm2 封裝，與最接近的競爭產(chǎn)品相比，該器件在峰值負載下(15A)效率提高2.5%，在滿(mǎn)負載條件下(30A)效率改善6%。該器件適用于要求開(kāi)關(guān)頻率在600KHz – 1.0MHz，輸入電壓甚至達到20V的應用�？勺屧O計人員使用更小、更薄的電感和電容，減小解決方案的尺寸，同時(shí)滿(mǎn)足熱性能要求。FDMF6708N器件能夠幫助設計人員應對設計挑戰，設計出更酷、更薄且具有更高能效的Ultrabook產(chǎn)品。 要了解更多的信息及索取樣品，請訪(fǎng)問(wèn)公司網(wǎng)頁(yè)： http://www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDMF6708N.html 特性和優(yōu)勢 • 超過(guò)1.0MHz的開(kāi)關(guān)頻率減小了解決方案的總體尺寸，節省了50%的線(xiàn)路板空間，并且通過(guò)降低電感高度，實(shí)現更薄的系統。 • 過(guò)零檢測(ZCD)電路改善了輕負載性能 • PQFN 6x6mm2 Intel® DrMOS v4.0標準占位面積、多源極解決方案多芯片模塊(MCM) • 與最接近的競爭產(chǎn)品相比，該器件在峰值負載下(15A) 效率提高2.5%，在滿(mǎn)負載條件下(30A)效率改善6%。(19Vin, 1Vout, 800KHz)，實(shí)現更長(cháng)的電池壽命。 飛兆半導體Generation II XS DrMOS系列器件提供業(yè)界領(lǐng)先技術(shù)，以應對現今電子設計所遇到的能效和外形尺寸挑戰。這些器件是飛兆半導體高能效的功率模擬、功率分立和光電子解決方案的一部分，能夠在功率敏感應用中實(shí)現最大節能。 
價(jià)格：訂購1,000個(gè)FDMF6708N 每個(gè)1.86美元 供貨: 按請求提供樣品 交貨期: 收到訂單后8至12周內 產(chǎn)品的 PDF 格式數據表可從此網(wǎng)址獲�。�http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMF6708N.pdf |
