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無(wú)源晶體分類(lèi)介紹及重要參數講解
石英晶體是一種可將電能和機械能相互轉化的壓電器件，能量轉變發(fā)生在共振頻率點(diǎn)上。它可用如下模型表示： 石英晶片經(jīng)過(guò)被電極，上架、封裝即成為壓電諧振器。當外加電場(chǎng)的交變頻率與石英晶片的固有頻率相接近,且外加電壓的角頻率ω等于石英機械振動(dòng)的固有諧振角頻率ω時(shí)(取決于石英晶體的幾何尺寸和切型),晶片產(chǎn)生機械諧振，彈性振動(dòng)通過(guò)壓電效應與回路相耦合,其效果等于由Lm，Cm，Rm的串聯(lián)臂和C0并聯(lián)組成的諧振回路。此時(shí)機械振動(dòng)的幅度最大，相應地晶體表面所產(chǎn)生的電荷量最大，外電路中電流最大。 C0：Shunt Capacitance表示晶片與涂敷銀層構成的靜電容。 Lm：Motional Lnductance是晶體振蕩時(shí)機械振動(dòng)慣性的等效電感。 Cm：Motional Capacitance 是晶體諧振時(shí)晶片彈性的等效電容。 Rm：Resistance 用于等效晶片振動(dòng)時(shí)的磨擦損耗。
標稱(chēng)頻率：該頻率特指晶體技術(shù)條件中規定的頻率，表示為MHz或KHz。 調整頻差：標稱(chēng)頻率在一定溫度（一般是25℃）下的允許偏差，表示為百分數（%）或百萬(wàn)分之幾（ppm）。 負載電容（CL）：與晶體一起決定負載諧振頻率的有效外界電容。任何外部電容一旦與石英晶體串聯(lián)，即會(huì )成為其諧振頻率的一個(gè)決定因素。負載電容變化時(shí)，頻率也會(huì )隨之改變。因此，在電路中使用時(shí)，經(jīng)常會(huì )以標準負載電容來(lái)微調頻率至期望值。 工作溫度范圍：石英晶體元器件在規定的誤差內工作的溫度范圍。 溫度頻差：在規定條件下，在工作溫度范圍內相對于基準溫度（25℃±2℃）時(shí)工作頻率的允許偏差。 等效串聯(lián)電阻(Rr)：晶體在諧振頻率下的電阻值，單位為歐姆。 激勵功率(DL石英晶體諧振器的主要參數)：晶體工作時(shí)所消耗功率的表征值。
最大功率是大多數功率器件在保證正常電氣參數的情況下，維持工作所消耗的功率，單位為mW或uW。一般情況激勵功率應維持在確保石英晶體正常起振和穩定振蕩所需要的最低值，以避免年老化特性不良和晶體損傷。 儲存溫度：晶體在非工作狀態(tài)下保持標準特性的溫度范圍。 絕緣電阻：引線(xiàn)之間或引線(xiàn)和殼體之間的電阻。 DLD2：在特定的功率范圍內所測量到的最大與最小阻抗的偏差量。 RLD2：在指定的變化功率范圍內測量到的最大阻抗。 TS：Trim sensitivity 負載電容值每變化1PF時(shí)FL的變化量(單位:ppm/PF) 老化：工作頻率在特定時(shí)間范圍內的變化量，一般表達為最大值，單位是每年頻率變化量的百萬(wàn)分之幾（ppm/年）。頻率隨時(shí)間而變化的原因有很多，如：密封性和完整性、制造工藝、材料類(lèi)型、工作溫度和頻率。
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