貿澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Analog Devices, Inc. (ADI) 和Bourns合作推出全新電子書(shū)，探討氮化鎵 (GaN) 在效率、性能和可持續性方面的優(yōu)勢，以及發(fā)揮這些優(yōu)勢所面臨的挑戰。
《10 Experts Discuss Gallium Nitride Technology》（10位專(zhuān)家暢談氮化鎵技術(shù)）一書(shū)探討了比硅效率更高、開(kāi)關(guān)速度更快、功率密度更大的氮化鎵如何徹底改變電力電子行業(yè)。從汽車(chē)和工業(yè)應用，再到消費電子和可再生能源，GaN技術(shù)的優(yōu)勢對各行各業(yè)都有著(zhù)深遠影響。這本新電子書(shū)提供了ADI、Bourns及其他公司的專(zhuān)家對GaN的見(jiàn)解，包括GaN的優(yōu)勢、設計人員首次使用GaN可能面臨的挑戰以及如何順利完成從硅到GaN的過(guò)渡。本電子書(shū)還重點(diǎn)介紹了ADI和Bourns的相關(guān)產(chǎn)品，包括GaN控制器和驅動(dòng)器，以及功率電感器等。 ADI LTC7890/1同步降壓控制器是一款高性能的降壓型DC-DC開(kāi)關(guān)穩壓器控制器，通過(guò)高達100V的輸入電壓驅動(dòng)N溝道同步GaN場(chǎng)效應晶體管 (FET) 功率級。與硅金屬氧化物半導體解決方案相比，這些器件簡(jiǎn)化了應用設計，無(wú)需保護二極管和其他額外的外部組件。 LT8418是一款100V半橋GaN驅動(dòng)器，集成了頂部和底部驅動(dòng)器級、驅動(dòng)器邏輯控制和保護功能。LT8418提供分離式柵極驅動(dòng)器來(lái)調整GaN FET的開(kāi)啟和關(guān)閉壓擺率，因此能抑制振鈴并優(yōu)化EMI性能。 由于GaN技術(shù)的高開(kāi)關(guān)頻率，需要用戶(hù)仔細選擇無(wú)源元件。Bourns提供針對GaN高頻優(yōu)化的先進(jìn)磁性元器件，包括其PQ扁線(xiàn)功率電感器、CWP3230A片式電感器和 TLVR1105T TLVR電感器。這些器件具有低電感、高額定電流和低輻射的屏蔽結構。 Bourns HCTSM150102HL變壓器具有更強的隔離能力、15mm最小電氣間隙/爬電距離和7.64kV (2s) 耐壓，提升了隔離高壓危險的水平。該變壓器采用鐵氧體環(huán)形磁芯，具有高耦合系數和效率。 要閱讀本電子書(shū)，請訪(fǎng)問(wèn)https://resources.mouser.com/man ... ride-technology-mg/。 要瀏覽貿澤整個(gè)電子書(shū)庫，請訪(fǎng)問(wèn)https://resources.mouser.com/manufacturer-ebooks/。 |
