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12月19日，日本先進(jìn)邏輯半導體制造商Rapidus宣布，其購入的首臺ASML TWINSCAN NXE:3800E光刻機已在位于北海道千歲市的IIM - 1晶圓廠(chǎng)完成交付并啟動(dòng)安裝。這一事件標志著(zhù)日本首次引入用于大規模生產(chǎn)尖端半導體的EUV（極紫外）光刻系統。 在交付安裝當天，眾多重要人物出席了在北海道新千歲機場(chǎng)舉行的紀念儀式，包括Rapidus首席執行官、日本政府代表、北海道及千歲市地方政府代表、ASML高管以及荷蘭駐日本大使等。 Rapidus總裁兼首席執行官表示：“我們非常高興能夠迎來(lái)這一里程碑式的時(shí)刻。通過(guò)引入ASML最先進(jìn)的EUV技術(shù)，我們將為客戶(hù)提供更高性能、更小尺寸的半導體解決方案，同時(shí)也為日本半導體產(chǎn)業(yè)注入新的活力�！� 據悉，ASML TWINSCAN NXE:3800E是ASML EXE系列0.33 (Low) NA EUV光刻機的最新型號。該型號的光刻機能夠滿(mǎn)足Rapidus首代量產(chǎn)工藝2nm的制造需求。其特別之處在于與0.55 (High) NA EXE平臺共享部分組件，而且相較于之前的NXE:3600D光刻機，其晶圓吞吐量提升了37.5%。 除了核心的EUV光刻機外，Rapidus還有進(jìn)一步的生產(chǎn)布局計劃。Rapidus將在IIM - 1晶圓廠(chǎng)安裝一系列配套先進(jìn)半導體制造設備以及全自動(dòng)材料處理系統，旨在實(shí)現2nm制程GAA（全環(huán)繞柵極）結構半導體的生產(chǎn)。如果Rapidus試產(chǎn)2nm芯片順利，還計劃在接下來(lái)的第二間工廠(chǎng)內采用1.4nm工藝，屆時(shí)預計將加大EUV光刻機的購買(mǎi)量。 此次ASML TWINSCAN NXE:3800E光刻機在日本的交付安裝，有望提升日本在國際先進(jìn)半導體制造領(lǐng)域的競爭力，并且對全球半導體產(chǎn)業(yè)的布局和發(fā)展產(chǎn)生積極影響。 |
