大聯(lián)大旗下世平推出基于安森美（onsemi）NCP5156x芯片的雙通道隔離驅動(dòng)IC評估板方案。
圖示1-大聯(lián)大世平基于onsemi產(chǎn)品的雙通道隔離驅動(dòng)IC評估板方案的展示板圖 在緊湊尺寸下實(shí)現高功率密度，已成為當前工業(yè)電源設計的核心目標。為實(shí)現這一目標，工程師必須考慮設計的各個(gè)方面。在這種背景下，大聯(lián)大世平基于onsemi NCP5156x芯片推出雙通道隔離驅動(dòng)IC評估板方案，旨在通過(guò)出色的隔離性能、高效的驅動(dòng)能力以及便捷的評估環(huán)境，縮短電源產(chǎn)品的設計周期。
圖示2-大聯(lián)大世平基于onsemi產(chǎn)品的雙通道隔離驅動(dòng)IC評估板方案的場(chǎng)景應用圖 NCP5156x系列是onsemi推出的一款隔離式雙通道閘極驅動(dòng)器，具備4.5A/9A的拉電流和灌電流峰值，專(zhuān)為快速開(kāi)關(guān)驅動(dòng)功率MOSFET和SiC設計。NCP5156x系列提供短且匹配的傳播延遲，獨立的5kVRMS內部電流隔離輸入到每個(gè)輸出以及兩者之間的內部功能隔離輸出驅動(dòng)器，允許工作電壓高達1500VDC。另外，此驅動(dòng)器具有極高的靈活性，可配置為兩個(gè)低側開(kāi)關(guān)、兩個(gè)高側開(kāi)關(guān)，或帶有可編程死區時(shí)間的半橋驅動(dòng)器。通過(guò)ENA/DIS引腳，用戶(hù)可以輕松地在ENABLE和DISABLE模式中分別設置為高電平或低電平，從而同時(shí)啟用或禁用兩個(gè)輸出。 除此之外，NCP5156x還提供其他重要的保護功能，例如閘極驅動(dòng)器和死區（Dead Zone）的獨立欠壓鎖定時(shí)間調整功能。
圖示3-大聯(lián)大世平基于onsemi產(chǎn)品的雙通道隔離驅動(dòng)IC評估板方案的方塊圖 隨著(zhù)電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展，業(yè)內對此類(lèi)高性能的隔離驅動(dòng)IC需求將不斷增長(cháng)。未來(lái)，大聯(lián)大世平將繼續與onsemi等全球先進(jìn)的半導體供應商緊密合作，不斷推出更多創(chuàng )新、實(shí)用的解決方案，滿(mǎn)足市場(chǎng)對高效電源產(chǎn)品的設計需求。 核心技術(shù)優(yōu)勢： onsemi NCP5156x驅動(dòng)IC具有以下技術(shù)優(yōu)勢： 設計彈性?xún)?yōu)（Flexible）可用于雙低側、雙高側或半橋閘極驅動(dòng)； 兩個(gè)輸出驅動(dòng)器均具有獨立的UVLO保護； 輸出電源電壓范圍為6.5V至30V，其中驅動(dòng)電壓5V、8V用于一般MOSFET、13V和17V用于SiC MOSFET； 4.5A峰值拉電流（Sink）、9A峰值灌電流（Source）輸出； 共模瞬態(tài)抗擾度CMTI >200V/ns； 傳播延遲典型值為36ns； 每個(gè)通道有5ns最大延遲匹配，5ns最大脈寬失真； 使用者可程式輸入邏輯通過(guò)ANB的單輸入或雙輸入模式（僅限NCP51561/563）啟用或停用模式； 3V至5.0V VDD電源范圍，最高30V VCCA/VCCB電源范圍； 4.5A和9A拉電流/灌電流驅動(dòng)能力； TTL相容輸入； 允許輸入電壓高達18V，適用于INA、INB、和ANB腳位； 用于死區時(shí)間的板載微調電位器程式設計； 用INA、INB和ENA/DIS的3位接頭引腳； 2位接頭，用于A(yíng)NB引腳； 支持MOSFET和SiC半橋測試； 連接到外部功率級的MOSFET，輸入電壓為600VDC- 800VDC（最大可允許900VDC）。 方案規格： 電源電壓：輸入側VDD 3.0V（最�。﹡ 5.0V（最大）； 電源電壓—驅動(dòng)器側如下可選： 5V UVLO版本VCCA、VCCB：6.5V（最�。﹡30V（最大）； 8V UVLO版本VCCA、VCCB：9.5V（最�。﹡30V（最大）； 13V UVLO版本VCCA、VCCB：14.5V（最�。﹡30V（最大）； 17V UVLO版本VCCA、VCCB：18.5V（最�。﹡30V（最大）； INA、INB和ANB引腳上的邏輯輸入電壓VIN：0V（最�。﹡ 18V（最大）； ENA/DIS VEN腳位上的邏輯輸入電壓：0V（最�。﹡5.0V（最大）； 操作溫度Tj：－40°C（最�。﹡＋125°C（最大）。 |
