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英國薩里大學(xué)的一項新研究在解析二維材料六方氮化硼（hBN）的生長(cháng)機制及其在金屬基板上的納米結構方面取得了突破，為更高效的電子產(chǎn)品、更清潔的能源解決方案和更環(huán)保的化學(xué)制造鋪平了道路。 厚度僅為一個(gè)原子的hBN，通常被稱(chēng)為“白色石墨烯”，是一種超薄且極具彈性的材料。它能夠阻隔電流，承受極端溫度，并抵御化學(xué)腐蝕。其獨特的多功能性使其成為先進(jìn)電子產(chǎn)品中不可或缺的組件，可用于保護精密微芯片，并推動(dòng)更快、更高效的晶體管開(kāi)發(fā)。 更進(jìn)一步，研究人員展示了納米多孔hBN的形成。這種結構具有精確的孔隙設計，可實(shí)現選擇性吸收、先進(jìn)催化和增強功能，極大拓展了其在環(huán)境領(lǐng)域的應用前景。例如，可用于污染物過(guò)濾和傳感，或作為氫儲存與燃料電池電化學(xué)催化劑的核心材料，提升能源系統性能。 研究團隊與奧地利格拉茨理工大學(xué)合作，通過(guò)結合密度泛函理論和微動(dòng)力學(xué)模型，繪制出hBN的原子級生長(cháng)過(guò)程。他們深入研究了擴散、分解、吸附、解吸、聚合和脫氫等關(guān)鍵分子過(guò)程，從而開(kāi)發(fā)出一種可預測任意溫度下材料生長(cháng)的模型。 這項研究成果已發(fā)表在納米科技領(lǐng)域知名期刊《Small》雜志上。 《每日科學(xué)》網(wǎng)站（www.sciencedaily.com） |
