大聯(lián)大旗下世平推出基于易沖半導體（ConvenientPower）WB8118芯片的MPP Qi2無(wú)線(xiàn)模組方案。
圖示1-大聯(lián)大世平基于易沖半導體產(chǎn)品的MPP Qi2無(wú)線(xiàn)模組方案的展示板圖 Qi2是WPC（無(wú)線(xiàn)充電聯(lián)盟）推出的新一代無(wú)線(xiàn)充電技術(shù)標準，旨在提供更好的充電體驗，為未來(lái)無(wú)線(xiàn)充電產(chǎn)品與增強功能開(kāi)發(fā)鋪平道路。Qi2標準在Qi無(wú)線(xiàn)充電標準中引入基于蘋(píng)果MagSafe磁吸充電技術(shù)的MPP（Magnetic Power Profile）技術(shù)，相較于BPP和EPP，MPP增加一個(gè)磁鐵環(huán)，可實(shí)現最佳的定位對準。在此技術(shù)的驅動(dòng)下，大聯(lián)大世平基于易沖半導體WB8118芯片推出MPP Qi2無(wú)線(xiàn)模組方案，可加快符合Qi2標準的無(wú)線(xiàn)充電產(chǎn)品設計。
圖示2-大聯(lián)大世平基于易沖半導體產(chǎn)品的MPP Qi2無(wú)線(xiàn)模組方案的場(chǎng)景應用圖 WB8118是一款高效的磁感應無(wú)線(xiàn)電源發(fā)射器IC，支持Qi2 15W無(wú)線(xiàn)快充，具有3.3V~18V的寬輸入電壓范圍。該IC兼容無(wú)線(xiàn)電源接收器（ASK）通信，擁有固定的通信接口端口，同時(shí)內置可靠的過(guò)壓、過(guò)電流及溫度保護方案。在IC內部集成穩壓器、全橋和驅動(dòng)器，并可通過(guò)I2C界面與其他設備進(jìn)行通信。 外觀(guān)設計上，WB8118采用環(huán)保的無(wú)鉛工藝以及緊湊的QFN 24腳封裝形式，尺寸為3mm×4mm×0.55mm。此外，該芯片的額定工作溫度范圍寬廣，能夠耐受-40℃至105℃的極端溫度變化。
圖示3-大聯(lián)大世平基于易沖半導體產(chǎn)品的MPP Qi2無(wú)線(xiàn)模組方案的方塊圖 在無(wú)線(xiàn)充電領(lǐng)域，易沖半導體占據著(zhù)重要地位。此次大聯(lián)大世平與其合作推出的MPP Qi2無(wú)線(xiàn)模組方案，能夠簡(jiǎn)化產(chǎn)品開(kāi)發(fā)認證流程，加速新產(chǎn)品上市的速度，從而幫助客戶(hù)在無(wú)線(xiàn)充電市場(chǎng)競爭中建立優(yōu)勢。 核心技術(shù)優(yōu)勢： 支持WPC 2.0 15W/三星快充/蘋(píng)果快充； 輸入電壓范圍：3.3V至18V； 整合核心、256字節內部RAM、3K字節外部RAM、32KB MTP和32KB ROM； 高速構架，標準模式下為8MHz~48MHz，PWM模塊為288MHz； 整合2個(gè)高達288MHz的PWM（帶FSK PHY的PWMA和帶有FSK周期中斷的PWMB）； 低RDSON HS/LS:19mQ； 支持死區時(shí)間調整； 電壓和電流模式解調； 支持2個(gè)I2C接口； 支持2個(gè)UART接口； 支持睡眠模式和待機模式； 過(guò)壓/過(guò)流/過(guò)溫保護； 符合RoHS標準、無(wú)鹵素、無(wú)鉛。 方案規格： 輸入電壓：5V/9V +/-5%； 額定輸入電流：3A@5V，2.22A@9V； 輸入文波要求：<150mVp-p； 支持協(xié)議類(lèi)型：DC、PD3.1； 靜態(tài)功耗：<0.3W； 輸出協(xié)議：Qi-BPP5W/Qi-MPP15W/7.5W蘋(píng)果快充； 最大輸出功率：15W（14V/1.07A）； 系統效率：83.5% max @15W（T70）； 充電高度：磁吸手機4mm、非磁吸手機5mm； 充電半徑：磁吸手機4mm、非磁吸手機6mm； 保護功能：輸入過(guò)欠壓保護、線(xiàn)圈過(guò)溫保護、芯片過(guò)溫保護、線(xiàn)圈峰值電壓保護、逆變橋輸入過(guò)流保護、過(guò)功率保護。 |
