兆易創(chuàng )新GigaDevice（股票代碼 603986）宣布推出專(zhuān)為1.2V SoC應用打造的雙電壓供電SPI NOR Flash產(chǎn)品——GD25NE系列。該系列產(chǎn)品無(wú)需借助外部升壓電路即可與下一代1.2V SoC實(shí)現無(wú)縫兼容，此產(chǎn)品的面世將進(jìn)一步強化兆易創(chuàng )新在雙電壓供電閃存解決方案領(lǐng)域的戰略布局。憑借更高的性能和更低的功耗，GD25NE系列可充分滿(mǎn)足市場(chǎng)對于先進(jìn)嵌入式存儲解決方案日益增長(cháng)的需求，成為智能可穿戴設備、醫療健康、物聯(lián)網(wǎng)、數據中心及邊緣人工智能應用的理想選擇。 
GD25NE系列SPI NOR Flash的核心供電電壓為1.8V，IO接口電壓為1.2V，支持單通道、雙通道、四通道、雙沿四通道模式，最高時(shí)鐘頻率為STR 133MHz，DTR 104MHz。GD25NE系列的寫(xiě)入時(shí)間典型值為0.15ms，扇區擦除時(shí)間為30ms，其與常規1.2V單電壓供電的Flash解決方案相比，數據讀取性能提升了20%，寫(xiě)入速度提升60%，擦除時(shí)間縮短30%。憑借這些技術(shù)優(yōu)勢，GD25NE系列成為新興嵌入式應用的卓越之選。 為進(jìn)一步滿(mǎn)足能耗敏感型應用的需求，GD25NE系列采用超低功耗設計。其深度睡眠功耗電流低至0.2μA，在雙沿四通道104MHz頻率下的讀取電流低至9mA，擦寫(xiě)電流低至8mA。與傳統的1.8V Flash解決方案相比，GD25NE系列的1.2V IO接口設計可將功耗降低50%。這一優(yōu)化的電源架構不僅顯著(zhù)提升了能效，還保持了Flash器件的高性能表現，同時(shí)簡(jiǎn)化了SoC的系統設計。 “GD25NE系列作為雙電源SPI NOR Flash品類(lèi)的代表，實(shí)現了高性能與超低功耗的完美平衡，”兆易創(chuàng )新副總裁、存儲事業(yè)部總經(jīng)理蘇如偉表示，“憑借顯著(zhù)降低的功耗、更快的讀取速度以及更高的擦寫(xiě)效率，GD25NE系列能夠滿(mǎn)足新一代1.2V SoC持續演進(jìn)的需求。未來(lái)，兆易創(chuàng )新還將不斷拓展雙電源SPI NOR Flash的產(chǎn)品組合，致力于為客戶(hù)提供更高效、更可靠、更前沿的閃存解決方案，助力創(chuàng )新應用的發(fā)展�！� 目前，兆易創(chuàng )新GD25NE系列可提供從32Mb到256Mb的多種容量選擇，并支持SOP16（300 mil）和BGA24（5×5 ball array）封裝選項。該系列首款產(chǎn)品——256Mb的GD25NE256H現已開(kāi)始提供樣片。其余32Mb至128Mb容量的產(chǎn)品也將陸續推出。如需了解詳細信息及產(chǎn)品定價(jià)，請聯(lián)系當地銷(xiāo)售代表。 |
