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作為晶振行業(yè)的“圈內人”或剛剛進(jìn)入晶振行業(yè)的小白同學(xué)來(lái)說(shuō)，了解晶振的專(zhuān)業(yè)術(shù)語(yǔ)就顯得尤為必要了，今天小揚給大家整理一些基本的晶振專(zhuān)業(yè)名詞解釋?zhuān)?/font> 1、標稱(chēng)頻率 標稱(chēng)頻率指的是在正常匹配的振蕩電路下，晶振中的石英晶片振動(dòng)的頻次，表示為MHz或KHz。 例如：石英晶片在1秒內振動(dòng)了一百萬(wàn)次，那么該頻率為1MHz。 2、調整頻差 指晶振在常溫（25℃）下，實(shí)際輸出頻率與標稱(chēng)頻率之間允許的最大偏差。晶振在標準溫度下的頻率誤差范圍。這個(gè)誤差通常用ppm（百萬(wàn)分之一）來(lái)表示。 例如：標稱(chēng)頻率為10MHz的晶振，如果調整頻差為±10ppm，實(shí)際頻率可能在9.9999MHz到10.0001MHz之間波動(dòng)。調整頻差越小，晶振的頻率精度越高。 3、溫度頻差 指晶振在工作溫度范圍內，實(shí)際輸出頻率與標稱(chēng)頻率之間允許的最大偏差。 晶振在不同溫度下工作時(shí)，頻率可能會(huì )因為溫度變化而產(chǎn)生一定的波動(dòng)。這個(gè)偏差通常也用ppm（百萬(wàn)分之一）來(lái)表示。 例如：晶振的溫度頻差為±20ppm，規定的溫度范圍內，實(shí)際頻率可能會(huì )比標稱(chēng)頻率高或低最多20ppm。溫度頻差越小，晶振的頻率穩定性越好，受溫度變化的影響越小。 4、工作溫度范圍 工作溫度范圍是晶振能正常工作的溫度區間，在這個(gè)范圍內晶振的頻率偏差和其它性能都能保持正常。 比如，晶振的工作溫度范圍是-40℃到85℃，在這個(gè)區間內就能穩定運行。超出這個(gè)范圍，性能可能就不行了。工作溫度范圍越寬，晶振就越能適應不同的環(huán)境。 5、儲存溫度范圍 指晶振在不工作（沒(méi)通電）時(shí)，能安全存放的溫度范圍，一個(gè)晶振的儲存溫度范圍是-55℃到125℃，只要在這個(gè)區間里放著(zhù)，它的性能就不會(huì )壞。但如果超出這個(gè)范圍，可能會(huì )少用幾年或者性能變差。儲存溫度范圍一般比工作溫度范圍更寬，是為了讓晶振在運輸或存放時(shí)更安全。 6、負載電容（負載電容是由外部電容和電路中的雜散電容共同決定的） ① 負載電容是指與晶振串聯(lián)的外部電容，它會(huì )直接影響晶振的諧振頻率。負載電容就像是晶振的“調頻器”——當負載電容發(fā)生變化時(shí)，晶振的輸出頻率也會(huì )隨之改變。 ② 常見(jiàn)的負載電容值有：8pF、9pF、10pF、12pF、12.5pF、15pF、18pF、20pF等。不同的負載電容值適用于不同的電路設計需求。 ③ 負載電容的計算公式為：CL = (Cg × Cd) / (Cg + Cd) + Cs。 · Cg 和 Cd 是晶振兩個(gè)引腳上連接的外部電容值。 · Cs 是電路中的雜散電容，通常為3pF～5pF。 7、靜態(tài)電容 指晶振內部石英芯片與兩個(gè)電極之間形成的電容，還有一小部分電容來(lái)自石英芯片與連接線(xiàn)之間的導電材料，以及晶振封裝外殼的電容。 8、切割方式 不同應用場(chǎng)景和工作溫度的需求，石英晶體會(huì )按照特定的角度進(jìn)行切割，形成不同的切割方式。切割類(lèi)型包括：AT切、BT切、CT切、SC切、DT切、NT切、GT切等。每種切割方式的角度不同，會(huì )影響晶體的彈性常數、壓電常數和介電常數，進(jìn)而影響其頻率特性和溫度穩定性。 切割角度決定了晶振的振動(dòng)模式和溫頻特性。石英晶體有結晶軸，切割時(shí)沿垂直于結晶軸的特定角度進(jìn)行。 9、振動(dòng)模式 不同的石英切割角度及不同電極形狀的電場(chǎng)效應，石英芯片展現了各種不同的振動(dòng)模式，以經(jīng)常產(chǎn)生的振動(dòng)模式可以分為彎曲模式，伸縮模式，面切變模式和厚度切變振動(dòng)模式。 |
