貿澤電子 (Mouser Electronics) 與Micron合作推出了全新電子書(shū)，探討內存在A(yíng)I邊緣應用中的重要性，以及有效部署邊緣人工智能 (AI) 的關(guān)鍵設計考慮因素。Micron是創(chuàng )新內存和存儲解決方案的行業(yè)知名企業(yè)，在邊緣計算、數據中心、網(wǎng)絡(luò )連接和移動(dòng)等關(guān)鍵市場(chǎng)領(lǐng)域，為AI、機器學(xué)習和自動(dòng)駕駛汽車(chē)的發(fā)展提供支持。
在《5 Experts On Addressing The Hidden Challenges of Embedding Edge AI into End Products》（5位專(zhuān)家探討將邊緣AI嵌入終端產(chǎn)品的隱性挑戰）中，AI領(lǐng)域的專(zhuān)家探討了如何在邊緣處理數據，這樣數據系統可以在更接近數據源的地方進(jìn)行實(shí)時(shí)數據處理和決策，而無(wú)需擔心與云連接相關(guān)的延遲和安全問(wèn)題。邊緣AI應用對內存的需求極高，需要高性能、低延遲的內存解決方案來(lái)處理AI推理中涉及的海量數據。這些需求推動(dòng)了內存技術(shù)的發(fā)展，催生了高帶寬和低功耗內存等解決方案。這些解決方案在A(yíng)I生態(tài)系統中，從一種商品變成了AI設備和應用中的關(guān)鍵差異化因素。 這本電子書(shū)探討了內存在邊緣AI應用中的重要性、與部署邊緣AI相關(guān)的設計考慮因素，以及貿澤和Micron如何憑借業(yè)界超高性能和超高密度的內存解決方案推動(dòng)行業(yè)發(fā)展： Micron LPDDR5 DRAM內存旨在滿(mǎn)足新一代AI推理架構的需求，與LPDDR4相比，數據訪(fǎng)問(wèn)速度提高了50%，而出色的1-beta LPDDR5X則提供了更高的性能，最高可達9.6Gbps。所有這些特性都可以提高邊緣應用的效率和AI體驗。 Micron LPDDR4 DRAM內存經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可解決電池供電應用中的功耗問(wèn)題，與電池供電應用和超便攜設備中的 DDR4 相比，峰值帶寬快33%。 Micron e.MMC托管型NAND技術(shù)結合了高容量應用間互操作性，提供雙電壓支持和優(yōu)異的耐用性，非常適合各種消費、網(wǎng)絡(luò )、工業(yè)和汽車(chē)應用。 Micron串行NOR閃存采用行業(yè)標準封裝、引腳分配、指令集和芯片組兼容性，可簡(jiǎn)化設計過(guò)程，能滿(mǎn)足多種消費電子、工業(yè)、有線(xiàn)通信和計算應用的需求。 如需閱讀電子書(shū)，請訪(fǎng)問(wèn)https://resources.mouser.com/man ... nto-end-products-mg。 如需瀏覽貿澤特有的電子書(shū)庫，請訪(fǎng)問(wèn)https://resources.mouser.com/manufacturer-ebooks/。 |
