實(shí)驗名稱(chēng):雙波長(cháng)外腔共振和頻過(guò)程中腔參數優(yōu)化的研究
測試設備:電壓放大器、光電探測器、PZT等。
實(shí)驗過(guò)程:
圖1:雙波長(cháng)外腔共振和頻的實(shí)驗裝置 M:腔鏡;PPLN:周期極化銀酸鋰晶體;LEN:模式匹配透鏡;PBS:偏振分束棱鏡;PD:光電探測器;PID:比例積分微分控制器;HVA:電壓放大器;PZT:壓電陶瓷;R:反射平面鏡 利用雙波長(cháng)外腔共振技術(shù)及周期性極化銀酸鋰晶體PPLN實(shí)現938nm和1583nm兩激光和頻從而產(chǎn)生589nm鈉黃光的實(shí)驗裝置如圖1所示。為了優(yōu)化光束質(zhì)量,采用單模光纖對輸出激光束進(jìn)行整形,最終的耦合效率優(yōu)于50%。外腔是由兩平面鏡M1、M2和兩曲率半徑為50mm的凹面鏡M3、M4構成的蝶形環(huán)形腔,這種腔形不僅能滿(mǎn)足雙波長(cháng)共振和頻技術(shù)的要求同時(shí)可以將兩束種子光分別從兩個(gè)腔鏡入射,降低了實(shí)驗的難度。實(shí)驗中所采用非線(xiàn)性晶體是長(cháng)寬高分別為10mm*3mm*1mm的PPLN晶體,并將其放在溫控爐上對其進(jìn)行溫度控制。由于PPLN晶體采用了Ⅰ類(lèi)相位匹配進(jìn)行和頻,所以對938nm激光器的要求是e1軸方向偏振,對1583nm激光器的要求也是e1軸方向偏振,分別可以通過(guò)調節各自的波片實(shí)現。晶體和蝶形環(huán)形腔的實(shí)物如圖2所示。
圖2:實(shí)驗中所用的晶體和搭建的蝶形環(huán)形腔:(a)晶體;(b)蝶形環(huán)形腔。 兩基頻光與蝶形環(huán)形腔利用頻率鎖定技術(shù)進(jìn)行級聯(lián)鎖定,探測器將測得的光信號轉變?yōu)殡娦盘柌⑤斎霚p法器1,減法器將兩信號相減后產(chǎn)生誤差信號,此過(guò)程為H-C1。由于外腔內放置有非線(xiàn)性晶體,若激光與腔共振,則腔鏡M2后的反射光為線(xiàn)偏振光,分成的兩束光光強相同,相減后為0,若激光與腔不共振,則M2后的反射光為橢圓偏振光,分成的兩束光光強不同,相減后不為0,這種反射信號的偏振態(tài)隨著(zhù)腔模失諧頻率變化而產(chǎn)生的誤差信號具有奇函數特征,因此可以對激光與腔進(jìn)行頻率鎖定。最后將這個(gè)誤差信號經(jīng)過(guò)PID1,對比例增益以及積分帶寬進(jìn)行設置后反饋到電壓放大器控制的壓電陶瓷PZT上,通過(guò)壓電陶瓷的伸縮來(lái)實(shí)現環(huán)形腔腔模頻率到938nm激光器輸出頻率的鎖定。同樣,在1583nm激光器輸出頻率到環(huán)形腔腔模頻率的鎖定過(guò)程具體為腔鏡M4后的反射光束通過(guò)與H-C1相同的過(guò)程H-C2后產(chǎn)生誤差信號,最后將這個(gè)誤差信號經(jīng)過(guò)PID2,對比例增益以及積分帶寬進(jìn)行設置后反饋到1583nm激光器的調制端口上,通過(guò)對1583nm激光器的頻率控制實(shí)現其到環(huán)形腔的頻率鎖定。這樣,環(huán)形腔腔模頻率鎖定到938nm激光器的輸出頻率上,1583nm激光器的輸出頻率鎖定到環(huán)形腔腔模頻率上,從而實(shí)現了三者之間的相位關(guān)聯(lián)鎖定,使它們之間的頻率相對穩定。另外,腔鏡M3的透射信號被另一個(gè)探測器PD5探測,然后輸入到示波器采集數據。在蝶形環(huán)形腔中實(shí)現了雙波長(cháng)共振之后,938nm和1583nm基頻光將在腔內與PPLN晶體相互作用,產(chǎn)生589nm的基頻光,并對一些實(shí)驗結果進(jìn)行測量與分析。
實(shí)驗結果:
圖3:589nm和頻光功率隨PPLN晶體溫度的變化曲線(xiàn) 由于實(shí)驗中PPLN晶體的相位匹配方式是溫度匹配,所以通過(guò)溫度的改變,和頻過(guò)程中的相位匹配參數能達到最優(yōu)化的值。圖3是不同晶體溫度下589nm和頻光輸出功率的變化曲線(xiàn),從圖中可以看出,溫度對晶體和頻轉化效率的影響較大,當溫度為112.5℃時(shí),晶體的和頻轉化效率最大,此時(shí)獲得的最高和頻光功率為204.3mW。由此可見(jiàn)實(shí)驗結果低于理論計算結果。這個(gè)差異可能主要是由于實(shí)驗中不完全的模式匹配造成的。
圖4:589nm和頻光輸出功率隨著(zhù)1583nm基頻光輸入功率變化的曲線(xiàn)圖。實(shí)線(xiàn):理論模擬結果;點(diǎn):實(shí)驗結果
圖5:外腔對938nm基頻光的反射光功率隨著(zhù)1583nm基頻光輸入功率變化的曲線(xiàn)圖。實(shí)線(xiàn):理論模擬結果;點(diǎn):實(shí)驗結果
圖6:外腔對1583nm基頻光的反射光功率隨著(zhù)1583nm基頻光輸入功率變化的曲線(xiàn)圖:(a)腔不內存在938nm共振激光;(b)腔內存在938nm共振激光。實(shí)線(xiàn):理論模擬結果;點(diǎn):實(shí)驗結果 為了與理論結果進(jìn)行對比,在晶體溫度為112.5℃時(shí),將938nm和1583nm激光進(jìn)行共振和頻,其中938nm基頻光的功率為300mW,1583nm基頻光功率從0mW到500mW之間進(jìn)行變化,但是無(wú)論功率如何變化,雙波長(cháng)外腔共振系統始終處在阻抗欠耦合情況下。圖4為589nm和頻光輸出功率隨著(zhù)1583nm基頻光輸入功率變化的曲線(xiàn)圖,圖中實(shí)線(xiàn)為理論模擬的結果,點(diǎn)線(xiàn)為實(shí)驗結果。從圖中可以看出,隨著(zhù)1583nm基頻光入射功率的增加,理論模擬和實(shí)驗的結果中589nm和頻光功率都在增加,當1583nm基頻光的功率為500mW時(shí),得到589nm和頻光的最高功率為204.3mW。這時(shí),對于進(jìn)入腔內的938nm基頻光其和頻轉化效率為61.1%。實(shí)驗結果和理論模擬結果符合的較好。圖5為外腔對938nm基頻光的反射光功率隨著(zhù)1583nm基頻光輸入功率變化的曲線(xiàn)圖。同樣圖中實(shí)線(xiàn)為理論模擬的結果,點(diǎn)線(xiàn)為實(shí)驗結果。從圖中可以看出隨著(zhù)1583nm基頻光入射功率的增加,被外腔反射的938nm功率減小,而938nm入射光功率是不變的,說(shuō)明隨著(zhù)1583nm入射光功率的增加和頻轉換效率逐漸增大,所消耗的938nm基頻光功率逐漸增加。實(shí)驗結果和理論模擬結果也符合的較好。圖6分別為腔內存在938nm共振激光與沒(méi)有938nm共振激光時(shí),外腔對1583nm基頻光的反射光功率隨著(zhù)1583nm基頻光輸入功率變化的曲線(xiàn)圖。圖中實(shí)線(xiàn)為理論模擬的結果,點(diǎn)線(xiàn)為實(shí)驗結果。從圖中可以看出,隨著(zhù)1583nm基頻光入射功率的增加,被外腔反射的1583nm功率也相應增大,但是當腔內存在938nm共振激光時(shí),由于和頻的發(fā)生消耗掉一部分1583nm激光,因此與腔內沒(méi)有938nm共振激光的情況相比較被外腔反射的1583nm激光功率要低。實(shí)驗結果和理論模擬結果也符合的非常好。
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