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[供應] [供求] MOSFET 晶體管 BSC020N03MSG / 5M80ZT100I5N MAX® V 復雜可編程邏輯器件

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發(fā)表于 2025-4-22 10:44:58 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
關(guān)鍵詞: BSC020N03MSG , 5M80ZT100I5N
深圳市明佳達電子,星際金華長(cháng)期(供應及回收)原裝庫存器件!
【供求原裝器件】MOSFET 晶體管 BSC020N03MSG / 5M80ZT100I5N MAX® V 復雜可編程邏輯器件。
【供應】只做原裝,庫存器件,價(jià)格方面由于浮動(dòng)不一,請以當天詢(xún)問(wèn)為準!
【回收】只需原裝庫存器件,須有原廠(chǎng)外包裝標簽,有庫存的朋友,歡迎隨時(shí)聯(lián)絡(luò )我們!

BSC020N03MSG:30V,OptiMOS™ N通道功率 MOSFET 晶體管,PG-TDSON-8
型號:BSC020N03MSG
封裝:PG-TDSON-8
類(lèi)型:MOSFET 晶體管
BSC020N03MSG——產(chǎn)品屬性:
系列:OptiMOS™
FET 類(lèi)型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):30 V
25°C 時(shí)電流 - 連續漏極 (Id):25A(Ta),100A(Tc)
驅動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導通電阻(最大值):2 毫歐 @ 30A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):124 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):9600 pF @ 15 V
功率耗散(最大值):2.5W(Ta),96W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類(lèi)型:表面貼裝型
供應商器件封裝:PG-TDSON-8-1
封裝/外殼:8-PowerTDFN

5M80ZT100I5N:MAX® V 復雜可編程邏輯器件(CPLD)IC,TQFP-100
型號:5M80ZT100I5N
封裝:TQFP-100
類(lèi)型:CPLD - 復雜可編程邏輯器件
5M80ZT100I5N——產(chǎn)品屬性:
系列:MAX® V
可編程類(lèi)型:系統內可編程
延遲時(shí)間 tpd(1) 最大值:7.5 ns
供電電壓 - 內部:1.71V ~ 1.89V
邏輯元件/塊數:80
宏單元數:64
I/O 數:79
工作溫度:-40°C ~ 100°C(TJ)
安裝類(lèi)型:表面貼裝型
封裝/外殼:100-TQFP
供應商器件封裝:100-TQFP(14x14)

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