英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出CoolGaN G5中壓晶體管，它是全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用氮化鎵（GaN）功率晶體管。該產(chǎn)品系列通過(guò)減少不必要的死區損耗提高功率系統的性能，進(jìn)一步提升整體系統效率。此外，該集成解決方案還簡(jiǎn)化了功率級設計，降低了用料成本。
集成肖特基二極管的CoolGaN G5晶體管 在硬開(kāi)關(guān)應用中，由于GaN器件的有效體二極管電壓（VSD ）較大，基于GaN的拓撲結構可能產(chǎn)生較高的功率損耗。如果控制器的死區時(shí)間較長(cháng)，那么這種情況就會(huì )更加嚴重，導致效率低于目標值。目前功率器件設計工程師通常需要將外部肖特基二極管與GaN晶體管并聯(lián)，或者通過(guò)控制器縮短死區時(shí)間。然而，無(wú)論哪種方法都需耗費額外的精力、時(shí)間和成本。而英飛凌新推出的 CoolGaN G5晶體管是一款集成了肖特基二極管的GaN晶體管，能顯著(zhù)緩解此類(lèi)問(wèn)題，適用于服務(wù)器和電信中間總線(xiàn)轉換器IBC）、DC-DC轉換器、USB-C電池充電器的同步整流器、高功率電源（PSU） 和電機驅動(dòng)等應用場(chǎng)景。 英飛凌科技中壓GaN產(chǎn)品線(xiàn)副總裁Antoine Jalabert表示：“隨著(zhù)GaN技術(shù)在功率設計中的應用日益廣泛，英飛凌意識到需要不斷改進(jìn)和提升這項技術(shù)，才能滿(mǎn)足客戶(hù)不斷變化的需求。此次推出的集成了肖特基二極管的CoolGaN G5晶體管體現了英飛凌致力于加快以客戶(hù)為中心的創(chuàng )新步伐，進(jìn)一步推動(dòng)寬禁帶半導體材料的發(fā)展�！� 由于缺乏體二極管，GaN晶體管的反向傳導電壓（VRC）取決于閾值電壓（VTH）和關(guān)斷態(tài)下的柵極偏置偏壓（VGS）。此外，GaN晶體管的VTH 通常高于硅二極管的導通電壓，這就導致了反向傳導工作（也稱(chēng)為第三象限）期間的劣勢。因此，采用這種新型CoolGaN 晶體管后，反向傳導損耗降低，能與更多高邊柵極驅動(dòng)器兼容，且由于死區時(shí)間放寬，控制器的兼容性變得更廣，顯著(zhù)簡(jiǎn)化設計。 首款集成肖特基二極管的GaN晶體管為采用3 x 5 mm PQFN 封裝的100 V 1.5 mΩ晶體管。 供貨情況 工程樣品和目標數據表可應要求提供。 |
