嵌入式 MCU：STM32F103VET6，STM32F030F4P6TR，STM32F401RCT6TR

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明佳達，星際金華 供應 嵌入式 MCU：STM32F103VET6，STM32F030F4P6TR，STM32F401RCT6TR

STM32F030F4P6TR 32 位單核 MCU TSSOP20 嵌入式 MCU

產(chǎn)品描述
STM32F030F4P6TR 是高性能的 Arm® Cortex®-M0 32 位 RISC 內核，工作頻率為 48 MHz，具有高速嵌入式存儲器（多達 256 Kbytes 的閃存和多達 32 Kbytes 的 SRAM）以及廣泛的增強型外設和 I/O。所有器件均提供標準通信接口（多達兩個(gè) I2C、兩個(gè) SPI 和六個(gè) USART）、一個(gè) 12 位 ADC、七個(gè)通用 16 位定時(shí)器和一個(gè)高級控制 PWM 定時(shí)器。

功能特點(diǎn)
內核： Arm® 32 位 Cortex®-M0 CPU，頻率高達 48 MHz
存儲器
- 16 至 256 Kbytes 閃存
- 4 至 32 千字節 SRAM，帶硬件奇偶校驗
CRC 計算單元
復位和電源管理
- 數字和 I/O 電源： VDD = 2.4 V 至 3.6 V
- 模擬電源： VDDA = VDD 至 3.6 V
- 開(kāi)機/關(guān)機復位 (POR/PDR)
- 低功耗模式： 睡眠、停止、待機
時(shí)鐘管理
- 4 至 32 MHz 晶體振蕩器
- 用于 RTC 的 32 kHz 振蕩器，帶校準功能
- 內部 8 MHz RC，帶 x6 PLL 選項
- 內部 40 kHz RC 振蕩器
多達 55 個(gè)快速 I/O
- 全部可在外部中斷向量上映射
- 多達 55 個(gè)具有 5V 容差能力的 I/O
5 通道 DMA 控制器
一個(gè) 12 位、1.0 µs ADC（最多 16 個(gè)通道）
- 轉換范圍 0 至 3.6 V
- 獨立模擬電源： 2.4 V 至 3.6 V
日歷 RTC，帶警報和從停止/待機狀態(tài)定期喚醒功能
11 個(gè)定時(shí)器
- 一個(gè) 16 位高級控制定時(shí)器，用于六通道 PWM 輸出
- 最多 7 個(gè) 16 位定時(shí)器，最多 4 個(gè) IC/OC、OCN，可用于紅外控制解碼
- 獨立和系統看門(mén)狗定時(shí)器
- SysTick 定時(shí)器
通信接口
- 最多兩個(gè) I2C 接口
- 在一個(gè)或兩個(gè) I/F 上支持快速模式增強（1 Mbit/s），帶 20 mA 電流灌槽
- 支持 SMBus/PMBus（在單個(gè)輸入/輸出接口上）
- 最多 6 個(gè) USART，支持主同步 SPI 和調制解調器控制；其中一個(gè)具有自動(dòng)波特率檢測功能
- 最多兩個(gè) SPI（18 Mbit/s），帶 4 至 16 個(gè)可編程位幀

STM32F401RCT6TR 84MHz 32 位單核微控制器

產(chǎn)品描述
STM32F401RCT6TR 基于高性能的 Arm® Cortex® -M4 32 位 RISC 內核，工作頻率高達 84 MHz。Cortex®-M4 內核具有單精度浮點(diǎn)運算單元 (FPU)，支持所有 Arm 單精度數據處理指令和數據類(lèi)型。它還實(shí)現了全套 DSP 指令和內存保護單元 (MPU)，從而提高了應用的安全性。

功能特點(diǎn)
具有 BAM（批量采集模式）的動(dòng)態(tài)效率線(xiàn)
- 1.7 V 至 3.6 V 電源
-40 °C 至 85/105/125 °C 溫度范圍
內核 Arm® 32 位 Cortex®-M4 CPU，帶 FPU、自適應實(shí)時(shí)加速器（ART Accelerator™），允許從閃存執行 0 等待狀態(tài)，頻率高達 84 MHz，內存保護單元，105 DMIPS/ 1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和 DSP 指令
內存
- 高達 256 Kbytes 的閃存
- 512 字節 OTP 存儲器
- 多達 64 千字節的 SRAM
時(shí)鐘、復位和電源管理
- 1.7 V 至 3.6 V 應用電源和 I/O
- POR、PDR、PVD 和 BOR
- 4-26 MHz 晶體振蕩器
- 內部 16 MHz 工廠(chǎng)微調 RC
- 用于 RTC 的 32 kHz 振蕩器，帶校準功能
- 帶校準的內部 32 kHz RC
功耗
- 運行：128 µA/MHz（外設關(guān)閉）
- 停止（閃存處于停止模式，快速喚醒時(shí)間）： 42 µA typ @ 25 °C；65 µA max @ 25 °C
- 停止（閃存處于深度掉電模式，喚醒時(shí)間慢）：25 °C 時(shí)典型值降至 10 µA；25 °C 時(shí)最大值為 28 µA
- 待機：2.4 µA @ 25 °C / 1.7 V（無(wú) RTC）；12 µA @ 85 °C @ 1.7 V
- 用于 RTC 的 VBAT 電源：1 µA @25 °C
1×12 位、2.4 MSPS A/D 轉換器：多達 16 個(gè)通道
通用 DMA：16 個(gè)流 DMA 控制器，帶 FIFO 并支持突發(fā)
多達 81 個(gè)具有中斷功能的 I/O 端口
- 所有 I/O 端口均可承受 5 V 電壓
- 多達 78 個(gè)高達 42 MHz 的快速 I/O



STM32F103VET6 32 位單核 MCU 72MHz ARM 微控制器

描述
STM32F103VET6 集成了高性能 ARM® Cortex®-M3 32 位 RISC 內核（工作頻率為 72 MHz）、高速嵌入式存儲器（閃存高達 512 Kbytes，SRAM 高達 64 Kbytes）以及連接到兩個(gè) APB 總線(xiàn)的大量增強型 I/O 和外設。所有器件均提供三個(gè) 12 位 ADC、四個(gè)通用 16 位定時(shí)器和兩個(gè) PWM 定時(shí)器，以及標準和高級通信接口：多達兩個(gè) I2C、三個(gè) SPI、兩個(gè) I2S、一個(gè) SDIO、五個(gè) USART、一個(gè) USB 和一個(gè) CAN。

特性
內核 ARM® 32 位 Cortex®-M3 CPU
最大頻率 72 MHz，0 等待狀態(tài)內存訪(fǎng)問(wèn)時(shí)性能為 1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）
單周期乘法和硬件除法
內存
256 至 512 Kbytes 閃存
高達 64 Kbytes 的 SRAM
靈活的靜態(tài)存儲器控制器，帶 4 個(gè)芯片選擇。支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 存儲器
LCD 并行接口，8080/6800 模式
時(shí)鐘、復位和電源管理
2.0 至 3.6 V 應用電源和 I/O
POR、PDR 和可編程電壓檢測器 (PVD)
4 至 16 MHz 晶體振蕩器
內部 8 MHz 工廠(chǎng)微調 RC
帶校準的內部 40 kHz RC
用于 RTC 的 32 kHz 振蕩器，帶校準功能
低功耗
睡眠、停止和待機模式
為 RTC 和備份寄存器提供 VBAT 電源
3 × 12 位、1 μs A/D 轉換器（多達 21 個(gè)通道）
轉換范圍 0 至 3.6 V
三重采樣和保持功能
溫度傳感器
2 × 12 位 D/A 轉換器
DMA：12 通道 DMA 控制器
支持的外設：定時(shí)器、模數轉換器、數模轉換器、SDIO、I2S、SPI、I2C 和 USART
調試模式
串行線(xiàn)調試 (SWD) 和 JTAG 接口
Cortex®-M3 嵌入式跟蹤宏單元
多達 112 個(gè)快速 I/O 端口
51/80/112 I/O，全部可映射到 16 個(gè)外部中斷向量，幾乎全部具有 5 V 容差
多達 11 個(gè)定時(shí)器
最多 4 個(gè) 16 位定時(shí)器，每個(gè)定時(shí)器最多 4 個(gè) IC/OC/PWM 或脈沖計數器和正交（增量）編碼器輸入
2 × 16 位電機控制 PWM 定時(shí)器，具有死區時(shí)間生成和緊急停止功能
2 × 看門(mén)狗定時(shí)器（獨立和窗口）
SysTick 定時(shí)器：24 位下位計數器
2 × 16 位基本定時(shí)器，用于驅動(dòng) DAC
多達 13 個(gè)通信接口
最多 2 個(gè) I2C 接口（SMBus/PMBus）
最多 5 個(gè) USART（ISO 7816 接口、LIN、IrDA 功能、調制解調器控制）
最多 3 個(gè) SPI（18 Mbit/s），2 個(gè)帶 I2S 多路復用接口
CAN 接口（2.0B 有效）
USB 2.0 全速接口
SDIO 接口