半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，推出一款適用于600V級高耐壓GaN HEMT驅動(dòng)的隔離型柵極驅動(dòng)器IC“BM6GD11BFJ-LB”。通過(guò)與本產(chǎn)品組合使用，可使GaN器件在高頻、高速開(kāi)關(guān)過(guò)程中實(shí)現更穩定的驅動(dòng)，有助于電機和服務(wù)器電源等大電流應用進(jìn)一步縮減體積并提高效率。
新產(chǎn)品是ROHM首款面向高耐壓GaN HEMT的隔離型柵極驅動(dòng)器IC。在電壓反復急劇升降的開(kāi)關(guān)工作中，使用本產(chǎn)品可將器件與控制電路隔離，從而確保信號的安全傳輸。 新產(chǎn)品通過(guò)采用ROHM自主開(kāi)發(fā)的片上隔離技術(shù)，有效降低寄生電容，實(shí)現高達2MHz的高頻驅動(dòng)。通過(guò)充分發(fā)揮GaN器件的高速開(kāi)關(guān)特性，不僅有助于應用產(chǎn)品更加節能和實(shí)現更高性能，還可通過(guò)助力外圍元器件的小型化來(lái)削減安裝面積。 另外，隔離型柵極驅動(dòng)器IC的抗擾度指標——共模瞬態(tài)抗擾度（CMTI）*1達到150V/ns（納秒），是以往產(chǎn)品的1.5倍，可有效防止GaN HEMT開(kāi)關(guān)時(shí)令人困擾的高轉換速率引發(fā)的誤動(dòng)作，從而有助于系統實(shí)現穩定的控制。最小脈沖寬度較以往產(chǎn)品縮減33%，導通時(shí)間縮短至僅65ns。因此，雖然頻率更高卻仍可確保最小占空比，從而可將損耗控制在更低程度。 GaN器件的柵極驅動(dòng)電壓范圍為4.5V～6.0V，絕緣耐壓為2500Vrms，新產(chǎn)品可充分激發(fā)出各種高耐壓GaN器件（包括ROHM EcoGaN™系列產(chǎn)品陣容中新增的650V耐壓GaN HEMT“GNP2070TD-Z”）的性能潛力。輸出端的消耗電流僅0.5mA（最大值），達到業(yè)界超低功耗水平，另外還可有效降低待機功耗。 新產(chǎn)品已于2025年3月開(kāi)始量產(chǎn)（樣品價(jià)格：600日元/個(gè)，不含稅）。另外，新產(chǎn)品也已開(kāi)始網(wǎng)售，通過(guò)電商平臺均可購買(mǎi)。 ＜開(kāi)發(fā)背景＞ 在全球能源消耗逐年攀升的背景下，節能對策已成為世界各國共同面臨的課題。尤其值得注意的是，據調查“電機”和“電源”消耗的電量約占全球總用電量的97%。改善“電機”和“電源”效率的關(guān)鍵在于采用碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等新材料制造的、負責功率控制和轉換的新一代功率器件。 ROHM充分發(fā)揮其在硅半導體和SiC隔離型柵極驅動(dòng)器IC開(kāi)發(fā)過(guò)程中積累的技術(shù)優(yōu)勢，成功開(kāi)發(fā)出第一波產(chǎn)品——專(zhuān)為GaN器件驅動(dòng)而優(yōu)化的隔離型柵極驅動(dòng)器IC。未來(lái)，ROHM將配套提供GaN器件驅動(dòng)用的柵極驅動(dòng)器IC與GaN器件，為應用產(chǎn)品的設計提供更多便利。 ＜應用示例＞ ◇工業(yè)設備：光伏逆變器、ESS（儲能系統）、通信基站、服務(wù)器、工業(yè)電機等的電源 ◇消費電子：白色家電、AC適配器（USB充電器）、電腦、電視、冰箱、空調 ＜術(shù)語(yǔ)解說(shuō)＞ *1) 共模瞬態(tài)抗擾度（CMTI） 隔離型柵極驅動(dòng)器的主要參數之一，指產(chǎn)品對短時(shí)間內發(fā)生的電壓急劇變化的耐受能力。特別是驅動(dòng)GaN HEMT等轉換速率較高的器件時(shí)，容易產(chǎn)生急劇的電壓變化，通過(guò)采用CMTI性能優(yōu)異的柵極驅動(dòng)器，可有效防止器件損壞，并降低電路的短路風(fēng)險。 |
