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研究機構UBM TechInsights已著(zhù)手進(jìn)行英特爾最新一代處理器Ivy Bridge的拆解分析；該款芯片是英特爾首款采用22納米工藝以及3D晶體管技術(shù)的產(chǎn)品，尚未正式上市。有一些媒體猜測，英特爾可能最快會(huì )在4月29日發(fā)表該款產(chǎn)品，也有傳言指出，該芯片的上市時(shí)程可能會(huì )延遲至7月。 一位英特爾發(fā)言人表示，Ivy Bridge處理器“很快”就會(huì )正式發(fā)表，他補充：“我們從去年底開(kāi)始就已經(jīng)進(jìn)行該芯片的生產(chǎn)�！彼囊馑紤撌侵冈撔酒瑯颖�，而UBM TechInsights已經(jīng)取得了一顆在馬來(lái)西亞封裝，標記為3.3GHz Core i5-3550的Ivy Bridge處理器芯片，其裸晶面積尺寸為170mm2，小于目前Sandy Bridge i7 2600K處理器的208mm2。 在初步測試中，UBM TechInsights發(fā)現該處理器芯片內含柵極間距(gate pitch)為90納米的嵌入式SRAM陣列，還發(fā)現柵極長(cháng)度為22納米的邏輯區塊。半導體產(chǎn)業(yè)界大多認為，下一個(gè)重要工藝節點(diǎn)是28納米；包括Altera與Xilinx都已經(jīng)推出28納米工藝FPGA，AMD與高通(Qualcomm)也正在委托GlobalFoundries 、臺積電等晶圓代工廠(chǎng)生產(chǎn)28納米芯片。 英特爾的獨特22納米工藝技術(shù)是采用了又稱(chēng)為FinFET的3D晶體管，該種技術(shù)號稱(chēng)可降低漏電──這也是目前尖端工藝芯片最大的問(wèn)題。其他芯片廠(chǎng)商也表示，他們將在次20納米工藝采用類(lèi)似的技術(shù)。 UBM TechInsights將于5月分兩階段公布對Ivy Bridge芯片的拆解報告，第一階段將包含詳細的邏輯架構分析，包括該芯片的制程技術(shù)、嵌入式存儲器、邏輯柵與I/O晶體管，并有高分辨率的芯片內部圖像；第二階段的報告則將分析該款處理器的晶體管特性，包括其N(xiāo)MOS、PMOS晶體管的DC電氣特性分析、柵極數據與溝道泄漏電流。 此外該報告還將顯示在三個(gè)溫度階層的處理器性能測試結果；分析師將采用掃描與隧穿電子顯微鏡、擴展電阻測試(Spreading Resistance Profiling)以及X光等技術(shù)。以下先披露報告中的幾張精彩圖片： 
圖為Ivy Bridge的隧穿電子顯微鏡斷面圖，可看到內部的3D晶體管
較上方的圖片是Ivy Bridge的裸晶，下方則是Sandy Bridge i7 2600K |
