|
代工巨頭臺積電董事長(cháng)兼首席執行官張忠謀日前承認，公司在28納米節點(diǎn)確實(shí)遭遇了一些問(wèn)題，但是是產(chǎn)能而非良率問(wèn)題。他在臺積電年度技術(shù)研討會(huì )上表示，臺積電28納米工藝的產(chǎn)量從一開(kāi)始就在公司的預測范圍內。 “是的，我們確實(shí)在28納米節點(diǎn)上有一些困難，但主要困難是沒(méi)有足夠的產(chǎn)能，而不是良率，”張忠謀說(shuō)。 他承認，臺積電一直陷于28納米節點(diǎn)工藝良率問(wèn)題的傳言中。今年一月，Future Horizons公司的技術(shù)分析師Mike Bryant說(shuō)臺積電28納米工藝出現了問(wèn)題，工藝良率不是很好。上個(gè)月，未經(jīng)證實(shí)的傳言說(shuō)臺積電在二月份關(guān)閉了28納米產(chǎn)線(xiàn)。當時(shí)，臺積電拒絕對此發(fā)表評論，同時(shí)也表示‘28納米工藝’一切正常。 張忠謀表示，公司對28納米產(chǎn)線(xiàn)的產(chǎn)能擴張投資緩解了產(chǎn)能危機。他指出，臺積電2012年計劃投入超過(guò)70億美元的資本支出，這一支出在2011年是約70億，2012年50億，2009年20億。 “隨著(zhù)新產(chǎn)能即將上線(xiàn)，我相信最壞的時(shí)代已經(jīng)過(guò)去了，”張表示。 臺灣IT媒體Digitimes在近日的報道中說(shuō)，由于擔心臺積電緊張的28納米產(chǎn)能，臺積電的兩個(gè)忠實(shí)客戶(hù)美國高通公司和Nvidia公司正在接洽其他代工廠(chǎng)。截至本篇文章發(fā)稿時(shí)，證實(shí)聯(lián)電已確定拿下高通訂單。 20nm節點(diǎn)將只提供單一工藝 另外臺積電還表示，將在20nm節點(diǎn)提供單一工藝，這與該公司過(guò)去針對不同工藝節點(diǎn)均提供多種工藝服務(wù)的策略稍有不同。 在臺積電年度技術(shù)研討會(huì )上，該公司執行副總裁暨共同運營(yíng)長(cháng)蔣尚義表示，若光刻技術(shù)無(wú)法讓14nm工藝達到合理的成本效益，那么臺積電可能會(huì )在20nm工藝之后再提供18nm或16nm工藝節點(diǎn)。 蔣尚義表示，臺積電最初計劃提供兩種20nm工藝，分別為高性能工藝與低功耗工藝。這兩種工藝都采用high-k金屬柵極(HKMG)技術(shù)。 然而，在歷經(jīng)一段時(shí)間的發(fā)展后，蔣尚義表示，臺積電認為這兩種20nm工藝之間并沒(méi)有明顯的性能差距。由于20nm的線(xiàn)寬非常小，已經(jīng)接近基本的物理極限了，因此也沒(méi)有太大空間針對不同的柵極長(cháng)度或其他需求來(lái)調整設計規則。 臺積電目前提供四種28nm工藝，分別為：高性能；低功耗；針對移動(dòng)應用的HKMG低功耗工藝，以及HKMG高性能工藝。 臺積電預計明年量產(chǎn)20nm HKMG工藝。2015年，臺積電希望能量產(chǎn)采用FinFET 3D晶體管的14nm工藝。 然而，整個(gè)半導體產(chǎn)業(yè)都在等待超紫外光(EUV)光刻技術(shù)。EUV技術(shù)一再延宕，迄今仍未能發(fā)展出大量生產(chǎn)所需的足夠光源和穩定性。光刻設備供應商ASML Holding NV公司正與數家光源供應商合作開(kāi)發(fā)，并承諾在2013至2014年將可提供商用化所需的足夠的吞吐量。 然而，不少業(yè)界人士對于EUV技術(shù)能否支持臺積電和其他領(lǐng)先芯片制造商的技術(shù)發(fā)展藍圖抱持懷疑態(tài)度。蔣尚義指出，193nm浸入式光刻領(lǐng)域已經(jīng)展現出長(cháng)足進(jìn)展，它甚至可能在14nm節點(diǎn)作為商用化的替代技術(shù)。然而，蔣尚義也表示，為了提供足夠銳利的影像，193nm浸入式光刻針對某些層會(huì )需要三重曝光，而針對大多數的層都會(huì )需要雙重曝光，這會(huì )讓量產(chǎn)成本急遽升高。 蔣尚義表示，臺積電“正在慎重考慮”是否提供18nm或16nm工藝�！耙坏┪覀冞x擇這個(gè)節點(diǎn)，我們就必須為客戶(hù)提供至少10年的服務(wù)�！� |
