業(yè)界首款基于硅技術(shù)的大功率2GHz 802.11bgn WLAN 功率放大器(SiGe)

發(fā)布時(shí)間:2010-3-10 12:59    發(fā)布者:嵌入式公社
關(guān)鍵詞: SiGe , WLAN , 大功率 , 功率放大器 , 業(yè)界
SE2576L可為具有上網(wǎng)功能的電視或家庭影院等快速增長(cháng)的網(wǎng)絡(luò )應用產(chǎn)品提供完整的覆蓋范圍

SiGe 半導體公司現已推出 2GHz 無(wú)線(xiàn) LAN 功率放大器 (PA) 模塊。型號為 SE2576L 的全新 IEEE802.11bgn 器件,是業(yè)界尺寸最小且效率最高的功率放大器,發(fā)射功率為26dBm。SE2576L 瞄準需要大射頻 (RF) 發(fā)射功率的網(wǎng)絡(luò )應用,如家庭影院或數據傳輸、企業(yè)和室外網(wǎng)絡(luò ),以及公共上網(wǎng)熱點(diǎn),能夠提供完整的覆蓋范圍和更高的鏈路預算,實(shí)現更快速、更高效的數據傳輸。



大功率 WLAN 連接性面對的挑戰是 RF PA。當 PA 在較高 RF 功率級下工作一段時(shí)間后,PA 本身的溫度往往會(huì )升高。隨著(zhù) PA 溫度的上升,它保持所需 RF 功率級的能力便會(huì )下降,這又促使 PA 控制環(huán)路提高 RF 功率,從而導致 PA 工作溫度進(jìn)一步上升。PA 溫度上升除了會(huì )降低 RF 功率之外,還會(huì )減低線(xiàn)性度性能,最終破壞傳輸數據,并在 WiFi 頻率信道附近產(chǎn)生干擾。

SE2576L 采用硅鍺工藝制造,該技術(shù)與標準硅工藝基本相同,熱導性卻是砷化鎵 (GaAs) 器件的三倍。SE2576L 集成了輸入匹配電路和外部輸出匹配電路,可以針對5V、26dBm 的工作條件調節負載線(xiàn),從而幫助 SiGe 半導體的客戶(hù)簡(jiǎn)化設計、加快上市速度,并提高產(chǎn)品良率。

SE2576L內置有采用溫度補償的對負載不敏感的功率檢測器,動(dòng)態(tài)范圍為20dB,在天線(xiàn)端3:1失配條件下,變化小于1.2dB。SE2576L綜合了功率檢測器功能和硅鍺技術(shù)固有散熱優(yōu)勢,可在極端溫度下保持穩定的性能,適合需要特別注意自身變熱問(wèn)題的大功率應用。新型WLAN PA還帶有數字激活控制功能,并集成了一個(gè)參考電壓發(fā)生器,其典型功率斜坡上升/下降時(shí)間為0.5 μs。

SE2576L 的占位面積和應用板設計與 SiGe 半導體 2GHz 大功率 WLAN PA 系列中的其它器件相同,使得終端用戶(hù)可以共享通用電路板設計,并為每款產(chǎn)品選擇最佳的 PA。

SE2576L采用符合RoHS指令的無(wú)鹵素、小引腳、16腳3mm x 3mm x 0.9mm QFN封裝。這種低側高封裝非常易于集成進(jìn)WLAN模塊中。

價(jià)格和供貨

SiGe半導體現可提供SE2576L器件,訂購1萬(wàn)片的價(jià)格為每片0.80美元。隨同產(chǎn)品提供大量有關(guān)PA使用和實(shí)施的應用文檔,包括如何利用電路板并通過(guò)版圖設計來(lái)實(shí)現熱分布最大化;如何設計包含SiGe半導體所有尺寸兼容2GHz大功率PA系列產(chǎn)品的電路板,以及如何實(shí)現PA輸出阻抗匹配以盡量提高SE2576L性能等的建議。
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