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逆向工程分析公司Chipworks稍早前公布英特爾22nm Ivy Bridge處理器的剖面圖，從中可見(jiàn)英特爾稱(chēng)為三柵極(tri-gate)晶體管的FinFET元件，從剖面圖看來(lái)，它實(shí)際上是幾乎呈現三角形的梯形。 這顆被解剖的IC是用于服務(wù)器的64位四核Xeon E3-1230處理器，Chipworks在香港取得該元件。 三角形部分與英特爾曾經(jīng)在2011年展示過(guò)的理想化矩形截面明顯不同。然而，目前尚不清楚這些fin的非垂直側邊是否為制造過(guò)程自然產(chǎn)生且無(wú)關(guān)緊要；亦或是英特爾故意如此設計，而且將對電子遷移率或良率造成關(guān)鍵影響。 
從蘇格蘭格拉斯哥大學(xué)獨立而出的Gold Standard Simulations Ltd. (GSS) CEO Ase Asenov在網(wǎng)絡(luò )上回應道：業(yè)界對于這種形成“塊狀”(bulk)FinFET的梯形或是近似三角形結構的優(yōu)缺點(diǎn)有諸多揣測。GSS已經(jīng)使用其名為Garand的3D TCAD模擬器對FinFET進(jìn)行了模擬分析。
GSS的模擬被用于探索英特爾梯形晶體管柵極長(cháng)度，以及等效矩形鰭(fin)晶體管對閾值電壓的影響�！帮@然，矩形fin具有較好的短通道效應。但盡管如此，一個(gè)與數百萬(wàn)美元成本相關(guān)的問(wèn)題，仍在于這種幾近三角形的形狀──這會(huì )是一種通用型設計嗎？或是這種塊狀FinFET技術(shù)能實(shí)現在fin蝕刻方面？” 就尺寸而言，矩形與梯形FinFET并沒(méi)有明顯差異，但并不具備摻雜濃度相關(guān)知識的GSS假設了一個(gè)淺摻雜通道。GSS同時(shí)表示，在淺溝漕隔離(STI)區域中，fin下方有一個(gè)高摻雜濃度固定器(doping concentration stopper)�！帮@然，與傳統的塊狀MOSFET相較，FinFET看起來(lái)復雜度要高出許多，”GSS表示。 |
