求助：關(guān)于mos管發(fā)熱問(wèn)題

gsywm

各位：

最近按照要求畫(huà)了塊板子，但調試時(shí)發(fā)現mos管燙的厲害，根本無(wú)法常時(shí)間工作。而且波形幅度值只有8V左右，請問(wèn)如何解決發(fā)熱問(wèn)題，并提高波形幅度。
原理圖如下

McuPlayer

你這頻率忒高了點(diǎn)吧？

看看你MOS管的交流特性再說(shuō)吧。

yz64

你這電路不適合真正做產(chǎn)品吧？考慮對管輸出和電感電容串聯(lián)電路吧。
你是讀卡電路，我的建議來(lái)自125K電路。

pqrnd

MOS管一班不能達到10M以上的速度吧

meishansu

1.MOS管開(kāi)關(guān)速度很高，如果不是超高速MOS管不行；
2.MOS管的柵極（G極）驅動(dòng)電流大，需要NPN和PNP組成所謂的圖騰柱驅動(dòng)方式；
3.電感并的電容是否太小，這個(gè)跟開(kāi)關(guān)頻率和電感大小有關(guān)；

szkei

你這樣驅動(dòng)mos管只起到一般開(kāi)關(guān)(頻率低)的作用。如果頻率在K級以上，你必須加開(kāi)關(guān)量極快的驅動(dòng)。你這個(gè)圖主要現在就是關(guān)不斷mos管.

chenyingzuo

因為功率MOSFET管柵源間的阻抗很高，工作于開(kāi)關(guān)狀態(tài)下的漏源間電壓的突變會(huì )通過(guò)極間電容耦合到柵極而產(chǎn)生相當幅度的VGS脈沖電壓，正方向的VGS脈沖電壓雖然達不到損壞器件的程度，但會(huì )導致器件的誤導通。為此要適當地降低柵極驅動(dòng)電路的阻抗，在柵源之間并接阻尼電阻。還給感性負載提供續流通道。

zzytyy1023

你管子是p型的吧(DS反了吧)，注意開(kāi)關(guān)速度，驅動(dòng)加加速電容或者用鉗位二極管試試。

lipeter801

柵源之間增加10k電阻

pcbkey

支持一下

yangwenguan

驅動(dòng)頻率太高了.

lucent

呵呵。