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GLOBALFOUNDRIES 今日推出一項專(zhuān)為快速增長(cháng)的移動(dòng)市場(chǎng)的最新科技，進(jìn)一步拓展其頂尖的技術(shù)線(xiàn)路圖。GLOBALFOUNDRIES 14 nm-XM技術(shù)將為客戶(hù)展現三維“FinFET”晶體管的性能和功耗優(yōu)勢，不僅風(fēng)險更低，而且能夠更快速地推向市場(chǎng)，從而幫助無(wú)晶圓廠(chǎng)生態(tài)系統在保持其移動(dòng)市場(chǎng)領(lǐng)先地位的同時(shí)，開(kāi)發(fā)新一代智能移動(dòng)設備。 XM 是eXtreme Mobility 的縮寫(xiě)，作為業(yè)界領(lǐng)先的非平面結構，它真正為移動(dòng)系統級芯片（SoC）設計做了優(yōu)化，能提供從晶體管到系統級的全方位產(chǎn)品解決方案。與目前20納米節點(diǎn)的二維平面晶體管相比，該技術(shù)可望實(shí)現電池功耗效率提升40%~60%。 14 nm-XM技術(shù)采用模塊化技術(shù)架構，完美結合了14 納米FinFET 器件與GLOBALFOUNDRIES 公司即將量產(chǎn)的20 納米LPM 制程技術(shù)。運用成熟的20nm-LPM 技術(shù)，能讓想利用FinFET SoC 優(yōu)勢的客戶(hù)，最快的實(shí)現順利遷移。技術(shù)研發(fā)工作已經(jīng)展開(kāi)，測試硅片正在GLOBALFOUNDRIES 公司設于紐約薩拉托加縣的Fab 8 晶圓廠(chǎng)接受測試。早期流程設計工具（PDKs）現已面市，并預計將于2013 年可提供客戶(hù)產(chǎn)品流片。 GLOBALFOUNDRIES 首席技術(shù)官Gregg Bartlett表示：“GLOBALFOUNDRIES 投入FinFET 研發(fā)已經(jīng)超過(guò)10 年，我們將以此為基礎讓這項技術(shù)得以進(jìn)入生產(chǎn)階段。我們有信心透過(guò)這項深厚的基礎帶領(lǐng)業(yè)界實(shí)現FinFET的量產(chǎn)，正如我們在高-K金屬柵技術(shù)（HKMG）領(lǐng)域的成就�！� 以HKMG專(zhuān)業(yè)技術(shù)為架構基礎 FinFET 架構采用傳統的二維晶體管設計，將導電通道置于側面，形成由電流控制柵極包圍的三維“鰭”狀結構。FinFET 技術(shù)的最大亮點(diǎn)就是其優(yōu)異的低功耗特性。三維晶體管設計具有電壓低運行且漏電少的固有特點(diǎn)，即在移動(dòng)應用中可延長(cháng)電池壽命，或降低數據中心網(wǎng)絡(luò )芯片等插入式應用的耗電量。 VLSI Research 市場(chǎng)調查公司董事長(cháng)兼首席執行官G. Dan Hutcheson 表示：“很多人并不知道FinFET 的架構基礎與時(shí)下推動(dòng)行動(dòng)發(fā)展的HKMG 技術(shù)相同。HKMG 技術(shù)在減少漏電方面實(shí)現了重大創(chuàng )新，FinFET 則在此基礎上又向前推進(jìn)了一大步，突破了今后多年的技術(shù)發(fā)展障礙。但是，要充分挖掘FinFET 技術(shù)的價(jià)值，企業(yè)需要具備HKMG 技術(shù)量產(chǎn)能力。GLOBALFOUNDRIES 公司在這個(gè)方面起步較早，已擁有兩年的HKMG 大批量制造經(jīng)驗�！� 3D晶體管并非皆可一概而論 GLOBALFOUNDRIES 制定了一套新的技術(shù)定義方法，并據此開(kāi)發(fā)出經(jīng)濟高效且功耗優(yōu)化的FinFET 技術(shù)，成為移動(dòng)SoC 市場(chǎng)的理想之選。14nm-XM 架構實(shí)現了性能與功耗的完美平衡，并成功將芯片尺寸和成本降至最低。與此同時(shí)，其構造方式可帶來(lái)最佳的可制造性與設計便利，并允許設計師重復使用上一代產(chǎn)品中的部分IP。除了晶體管結構外，這項技術(shù)還充分關(guān)注了SoC 級的需求，如支持全系統性能和特殊的移動(dòng)應用需求。 打造全面SoC 優(yōu)化解決方案的另一個(gè)關(guān)鍵因素是要會(huì )運用整個(gè)生態(tài)系統的專(zhuān)業(yè)知識，包括EDA 和設計解決方案合作伙伴以及IP 提供商。FinFET 技術(shù)離不開(kāi)創(chuàng )新思維的支持，特別是來(lái)自設計社區的真知灼見(jiàn)。GLOBALFOUNDRIES 的制程研發(fā)和技術(shù)架構團隊一直與內部設計團隊和設計生態(tài)系統合作伙伴保持著(zhù)密切協(xié)作，共同優(yōu)化技術(shù)和設計環(huán)境。 GLOBALFOUNDRIES 最近宣布與ARM 達成一項新的多年合作協(xié)議，共同為采用FinFET 制程技術(shù)的ARM 處理器打造最佳的SoC 解決方案。在共同優(yōu)化ARM® Cortex™-A 系列處理器方面，ARM和GLOBALFOUNDRIES已經(jīng)積累了多年合作經(jīng)驗，而新的協(xié)議進(jìn)一步延續了此前的合作，將推動(dòng)生產(chǎn)IP平臺的發(fā)展，促進(jìn)客戶(hù)迅速轉移至三維FinFET 晶體管技術(shù)。 ARM物理IP 部門(mén)副總經(jīng)理Dipesh Patel 表示：“在不斷發(fā)展中的超級移動(dòng)時(shí)代，FinFET 技術(shù)將是下一代智能移動(dòng)設備發(fā)展的關(guān)鍵推手。通過(guò)我們與GLOBALFOUNDRIES 多年的接觸與協(xié)同優(yōu)化，我們將為共同的客戶(hù)提供先進(jìn)的系統性能并幫助他們加速過(guò)渡以盡早利用FinFET技術(shù)帶來(lái)的優(yōu)勢。這成果將成為基于下一代ARM處理器和GPUs的、面向移動(dòng)市場(chǎng)的SoC的開(kāi)發(fā)平臺�！� 資料鏈接 14nm-XM 技術(shù)登錄頁(yè)面 14nm-XM技術(shù)概覽 (PDF 版本可供下載) GLOBALFOUNDRIES首席技術(shù)官 Gregg Bartlett博客 GLOBALFOUNDRIES 14nm-XM技術(shù)問(wèn)答 |
