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北京芯愿景軟件技術(shù)有限公司的最新資料 根據摩爾定理，IC上可容納的晶體管數目，約每隔18個(gè)月便會(huì )增加一倍，性能也將提升一倍。但隨著(zhù)IC上晶體管的集成度越來(lái)越高，在45nm節點(diǎn)技術(shù)中，MOS管的柵介質(zhì)厚度減小到了1.2nm，幾乎只是5個(gè)硅原子的厚度，器件的物理電氣性能幾乎達到了極限。因此，這些困難都催生了新一代金屬的誕生。在45nm技術(shù)節點(diǎn)處，以金屬/高K介質(zhì)為代表的新一代工藝技術(shù)已經(jīng)開(kāi)始應用于半導體產(chǎn)業(yè)。在32nm技術(shù)節點(diǎn)及以下，這些技術(shù)必將得到進(jìn)一步的推廣和應用。而在技術(shù)發(fā)展的過(guò)程中，半導體產(chǎn)業(yè)也遇到了成本研發(fā)成本不斷提高，先進(jìn)技術(shù)的集中化和壟斷化程度越來(lái)越高的趨勢，調研報告最后也對半導體產(chǎn)業(yè)的市場(chǎng)現狀作了一定的總結和分析。 
45納米以下制造工藝介紹.pdf
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