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具有經(jīng)濟性和高性能特點(diǎn)的50MHz至4 GHz多用途新型低噪聲放大器 TriQuint半導體公司推出兩款封裝式低噪聲放大器 (LNA) 增益模塊－TQP3M9035和TQP3M9038，可在50 MHz至4 GHz極寬帶寬范圍內提供經(jīng)濟型的高性能。這兩款放大器產(chǎn)品具有極高線(xiàn)性度和極低噪聲的特點(diǎn)，非常適用于高性能GSM、WCDMA、CDMA和LTE基站應用。 除了在無(wú)線(xiàn)基礎設施中實(shí)現高性能之外，新的TQP3M9035和TQP3M9038還可用于從中繼器和塔式安裝放大器到通用電路等需要高線(xiàn)性度、寬帶低噪聲增益模塊的各種系統。 新的TQP3M9035具有+37 dBm高三階交調截取點(diǎn) (OIP3) 和0.66 dB極低噪聲、16.5 dB增益和在1 dB增益壓縮（P1dB）射頻輸出功率為22.5 dB。典型使用包括接收器和發(fā)射增益模塊放大器、中頻增益模塊放大器和用于極小口徑終端 (VSAT) 的中頻放大器、以及點(diǎn)對點(diǎn)微波無(wú)線(xiàn)電中的第一、第二或第三低噪聲放大器。該器件還具有TDD-LTE系統要求的集成式數字關(guān)斷偏壓能力。TQP3M9038的OIP3為+39.5 dBm、噪聲系數為2 dB、14.9 dB的平坦增益響應（500 MHz - 3.5 GHz帶寬范圍上偏離只有+/-0.3 dB）和+21.6 dBm的P1dB射頻輸出功率。 TriQuint使用其高性能E-pHEMT工藝為這兩種新器件提供內部匹配。即使器件在極寬頻率范圍內工作，內部匹配可消除對許多典型外置優(yōu)化電路的需要。只需要一個(gè)外置射頻扼流圈以及隔離/旁路電容，操作在一個(gè)單一的+5 V電源供電 。TQP3M9035和TQP3M9038的功耗分別只有110 mA和85 mA。兩款器件均采用內置有源偏壓電路，以便在偏壓和溫度變化時(shí)也能穩定運行。TQP3M9035采用2x2 mm DFN封裝，TQP3M9038采用3x3 mm QFN 封裝；二者都符合RoHS標準的要求。 技術(shù)細節：
新TQP3M9035和TQP3M9038目前在產(chǎn)。TQP3M9035可提供完全組裝的500 MHz - 4 GHz評估裝置。TQP3M9038的裝置包括中頻版本 (50 - 500 MHz) 和射頻版本 (500 MHz - 4 GHz)。欲了解產(chǎn)品細節請聯(lián)系TriQuint，欲聯(lián)系銷(xiāo)售代表或分銷(xiāo)商，請登錄http://cn.triquint.com/sales。 |
