TriQuint推出具有卓越增益的新氮化鎵晶體管，可使放大器尺寸減小50%

直流至6 GHz的氮化鎵射頻功率晶體管：30W；在3.5 GHz時(shí), 增益為14dB；在6 GHz時(shí)，增益為10dB；漏極效率：在3.5 GHz時(shí)為55%, 在6 GHz時(shí)為44%；28V在200 mA，承受10:1 駐波比，EAR99無(wú)法蘭封裝。

直流至6 GHz的氮化鎵射頻功率晶體管：30W；在3.5 GHz時(shí), 增益為14dB；在6 GHz時(shí)，增益為10dB；漏極效率：在3.5 GHz時(shí)為55%, 在6 GHz時(shí)為44%；28V在200 mA，承受10:1 駐波比，EAR99法蘭封裝。

直流至3.5 GHz的氮化鎵射頻功率晶體管：30W CW；在3.5 GHz時(shí), 增益超過(guò)16dB；在6 GHz時(shí)，增益為10dB；附加功率效率：在5 GHz時(shí)為60%, 在6 GHz時(shí)為49.6%；32V在2.4 A，承受10:1 駐波比，EAR99無(wú)法蘭封裝。

直流至3.5 GHz的氮化鎵射頻功率晶體管：37W CW；在3.5 GHz時(shí), 增益超過(guò)16dB；在6 GHz時(shí)，增益為10dB；附加功率效率：在5 GHz時(shí)為60%, 在6 GHz時(shí)為49.6%；32V在2.4 A，承受10:1 駐波比，EAR99無(wú)法蘭封裝。