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據臺灣媒體報道，臺積電研究資深發(fā)展副總蔣尚義表示，臺積電將跳過(guò)22納米制程，直接發(fā)展20納米制程，預計2012年第三季導入，2013年大量量產(chǎn)， 進(jìn)度首度超越半導體龍頭英特爾，讓臺積電在先進(jìn)制程發(fā)展拿下全球第一。 蔣尚義于美西時(shí)間13日在2010臺積電美國技術(shù)論壇揭示新目標。英特爾首季獲利優(yōu)于預期，帶動(dòng)國內半導體族群勁揚表現，臺積電也因20納米領(lǐng)先推出，帶動(dòng)股價(jià)上漲0.9元新臺幣，以63.8元新臺幣報收，創(chuàng )下階段新高。 處理器大廠(chǎng)英特爾一向是半導體制程的領(lǐng)導者，去年英特爾32納米制程量產(chǎn)， 2011年底將推出22納米制程的產(chǎn)品，臺積電則直接跳過(guò)22納米，跨進(jìn)20納米，挑戰英特爾在先進(jìn)制程的領(lǐng)導地位。 臺積電今年預計以48億美元的資本支出，持續主導晶圓代工產(chǎn)業(yè)，并成為有效產(chǎn)能的領(lǐng)先提供者。在先進(jìn)制程部分，昨天宣布跳過(guò)22納米，直接發(fā)展 20納米，臺積電表示，這是基于為客戶(hù)創(chuàng )造價(jià)值而做的決定。 蔣尚義在技術(shù)論壇以“創(chuàng )新的新路”(A new way to innovation)為題演說(shuō)，他提到臺積電未來(lái)需把三件事情做好，一是先進(jìn)制程技術(shù)持續往前，二是提供超摩爾定律(Moore's than More)的可能性，為半導體制程發(fā)展找到新的延續，三是繼續整合封裝、3DIC、硅智材。 蔣尚義并宣布臺積電將直接投入20納米研發(fā)；他表示，20納米制程比22納米擁有更優(yōu)異的閘密度及芯片效能／成本比，其閘密度比28納米高兩倍。 臺積電2008年5月與英特爾、三星電子曾共同聲明，2012 年將是半導體發(fā)展18吋晶圓廠(chǎng)的適當時(shí)機，屆時(shí)臺積電與英特爾、三星等半導體大廠(chǎng)將一起成為最新世代的領(lǐng)導廠(chǎng)。 外界關(guān)注臺積電20納米是否在18吋晶圓廠(chǎng)生產(chǎn)，臺積電表示，這要看整個(gè)業(yè)界的狀況；設備商認為，一旦20納米量產(chǎn)啟動(dòng)，18英寸需求將有機會(huì )浮現，引發(fā)下一世代設備廠(chǎng)商的商機。 |
