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美高森美使用英特爾22 nm Tri-Gate 晶體管技術(shù)進(jìn)行開(kāi)發(fā)，預計于2014年底到 2015年初提供產(chǎn)品 美高森美公司(Microsemi)宣布利用英特爾公司(INTC)業(yè)界領(lǐng)先的onshore代工技術(shù)和使用英特爾革新性22 nm 3-D Tri-Gate晶體管技術(shù)，開(kāi)發(fā)先進(jìn)的高性能數字集成電路(IC)和系統級芯片(SoC)解決方案。 這項于2013年1月簽署的協(xié)議與美高森美的戰略相一致，將充分利用公司廣泛的高技術(shù)產(chǎn)品爭取更高性能和更高價(jià)值的機會(huì )。英特爾的Tri-Gate晶體管提供了空前的性能和功效組合，使得美高森美能夠開(kāi)發(fā)出用于高性能計算、網(wǎng)絡(luò )加速和信號處理應用的數字IC產(chǎn)品。目前美高森美正在與客戶(hù)接洽，并且開(kāi)始使用英特爾22nm工藝節點(diǎn)進(jìn)行設計，預計將于2014年底到2015年初提供產(chǎn)品。 美高森美集成電路集團執行副總裁Paul Pickle表示：“我們所瞄準的高價(jià)值應用兼備獨特的性能和復雜的功能特性的解決方案，通過(guò)使用英特爾的創(chuàng )新工藝技術(shù)和經(jīng)過(guò)硅產(chǎn)品驗證的IP，我們能夠為通信和國防市場(chǎng)提供性能較高、功率較低的數字IC產(chǎn)品，擴大在所服務(wù)市場(chǎng)的機會(huì )�！� 英特爾技術(shù)和制造集團副總裁Sunit Rikhi表示：“英特爾很高興使用先進(jìn)的22nm工藝技術(shù)和IP解決方案，來(lái)為美高森美制造數字IC解決方案�！� 關(guān)于英特爾3-D Tri-Gate晶體管 英特爾公司的3-D Tri-Gate晶體管是晶體管的重新發(fā)明，它是使用從硅基底垂直豎起的不可想象之薄的三維硅鰭來(lái)替代傳統的“扁平的”二維平面柵極。在硅鰭的三面各有一個(gè)柵極——每邊各一個(gè)，另一個(gè)則橫跨在頂部，從而實(shí)現電流的控制，而不是像二維平面晶體那樣只有一個(gè)柵極在頂部。當晶體管處于“導通”狀態(tài)時(shí)，這種附加控制可讓盡可能多的晶體管電流流過(guò)(提高性能)，這是由于tri-gate結構具有較低的寄生效應，并且在“關(guān)斷”狀態(tài)時(shí)電流盡可能接近于零(最大限度減小功耗)，這也使得晶體管能夠在兩個(gè)狀態(tài)之間非�？焖俚亻_(kāi)關(guān)(同樣提高了性能)。在速度方面，22nm晶體管在一秒鐘內的開(kāi)關(guān)次數能夠遠遠超過(guò)10億次。 |
