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恩智浦半導體（NXP）推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶體管，作為特別關(guān)注TD-LTE的無(wú)線(xiàn)基站第八代LDMOS產(chǎn)品線(xiàn)的擴展產(chǎn)品。隨著(zhù)中國開(kāi)始鋪設全球最大4GGen8+ LDMOS RF網(wǎng)絡(luò )，Gen8+的推出將鞏固恩智浦TD-LTE產(chǎn)品組合（目前最完善的TD-LTE LDMOS產(chǎn)品組合）的地位，并且顯著(zhù)提升性能、靈活性和經(jīng)濟性。BLC8G27LS-160AV是即將發(fā)布的第一款Gen8+器件，這全球最小也最經(jīng)濟的解決方案，用于有源天線(xiàn)戶(hù)外基站(2.6 GHz)的15 W和20 W功率放大器。該設備可同時(shí)支持多達5個(gè)TD-LTE載波，并提供覆蓋全波段（2.5至2.7 GHz）的高效率。 Gen8+產(chǎn)品組合的一項突破性功能是采用了空腔塑料(ACP)封裝。相比陶瓷封裝，ACP更加經(jīng)濟、靈活，這意味著(zhù)各款新產(chǎn)品將能更快和客戶(hù)見(jiàn)面。全新ACP封裝還允許使用改進(jìn)型無(wú)源器件，通過(guò)降低功耗并增加增益和效率來(lái)提升性能。Gen8+還加入了大量其他封裝選項，包括QFN、OMP和陶瓷封裝。 Gen8+產(chǎn)品組合最初設計用于頻率范圍在2300-2700 MHz之間的基站應用。作為現有恩智浦LDMOS產(chǎn)品系列的擴展，Gen8+增加了各個(gè)波段功耗水平的范圍，從5瓦到240瓦不等。Gen8+擁有出色的功率和較小尺寸，這意味著(zhù)它還能進(jìn)一步節省成本。 恩智浦基站功率放大器產(chǎn)品市場(chǎng)總監Christophe Cugge表示：“該產(chǎn)品組合針對支持TD-LTE網(wǎng)絡(luò )的無(wú)線(xiàn)基站、Gen8+的發(fā)布以及即將在中國鋪設的全球最大4G網(wǎng)絡(luò )進(jìn)行了優(yōu)化。我們提供最完善的此類(lèi)RF功率產(chǎn)品，重點(diǎn)關(guān)注于讓客戶(hù)能夠以最低成本提供最佳品質(zhì)的服務(wù)。Gen8+ LDMOS技術(shù)運用恩智浦在RF功率產(chǎn)品領(lǐng)域的深厚積淀，以顯著(zhù)的低成本提供前所未有的高性能、低功耗和更高效率，發(fā)揮出競爭優(yōu)勢，我們也計劃近期將其拓展到在所有其它制式基站應用中去�！� 上市時(shí)間 合格用戶(hù)可即刻索取Gen8+ ACP產(chǎn)品的工程樣本。BLC8G27LS-160AV和其他Gen8+ LDMOS晶體管的樣本將于2013年第3季度提供。 鏈接 • 恩智浦射頻手冊（第17版）： http://www.nxp.com/rfmanual • BLC8G27LS-160AV – Gen8+陶瓷非對稱(chēng)Doherty LDMOS晶體管，用于2496 MHz至2690 MHz多波段應用： http://www.nxp.com/pip/BLC8G27LS-160AV |
