基于模型的建議:光刻友好設計成功的導航

發(fā)布時(shí)間:2013-11-27 17:29    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: 基于模型 , 光刻
作者:Joe Kwan,來(lái)自明導

如今對于一些技術(shù)節點(diǎn),設計人員需要在晶圓代工廠(chǎng)流片和驗收之前進(jìn)行光刻友好設計 (Litho Friendly Design) 檢查。由于先進(jìn)節點(diǎn)的解析度增進(jìn)技術(shù) (RET) 限制,即使在符合設計規則檢查 (DRC) 的設計中,我們仍看到了更多的制造問(wèn)題[1] [2]。設計布局中制造特性較差的區域(即使應用了 RET 技術(shù))所謂光刻熱點(diǎn),只有在設計驗證流程中修改布局多邊形才能糾正這些熱點(diǎn)。

光刻熱點(diǎn)修復應該滿(mǎn)足兩個(gè)條件:

  • 首先,修復不能導致內部或者外部違反 DRC(例如,進(jìn)行修復不應該完全去除多邊形,使其寬度小于最小的 DRC 寬度,合并兩個(gè)多邊形或者使他們之間的距離小于最小的 DRC 間隔。)
  • 其次,修復必須符合光刻友好設計,也就是說(shuō)不僅要考慮修復熱點(diǎn),而且要確保不產(chǎn)生新的熱點(diǎn)。

不過(guò),移動(dòng)布局邊緣來(lái)修復光刻熱點(diǎn),這些邊緣不一定是直接鄰接熱點(diǎn)。確定移動(dòng)哪個(gè)布局邊緣來(lái)修復光刻熱點(diǎn)的過(guò)程相當復雜,因為從設計布局到印出電路涉及一連串改變原始布局形狀的復雜非線(xiàn)性步驟(如 RET),原本布局圖型改變及光學(xué)效應對布局特征的影響需列入考慮。鑒于修復光刻熱點(diǎn)所需的布局修正必須由設計人員進(jìn)行,他們通常不熟悉這些流片后過(guò)程,顯然在修復過(guò)程中,電子設計自動(dòng)化 (EDA) 工具需要為設計人員提供一些幫助。

在明導,我們稱(chēng)之為基于模型的建議(MBH)。MBH 可以評估熱點(diǎn)、確定有哪種修復選擇可以使用、進(jìn)行模擬來(lái)確定這些修復建議也遵守所需的條件,然后為設計人員提供適當的修復建議(圖1)。一次修復可能包括單邊移動(dòng)或者多邊移動(dòng),一個(gè)光刻熱點(diǎn)可能存在不止一種可行的修復方法。此外,修復后的設計驗證可以發(fā)現任何新的違反DRC 最小線(xiàn)寬寬度或者間隔的狀況,但是它無(wú)法檢測到被刪除或者合并的多邊形,因此 MBH 系統必須將這個(gè)知識整合進(jìn)建議模型所提供的建議里。能夠在一個(gè)建議里看到所有可行的修復選擇,使設計人員同時(shí)擁有糾正熱點(diǎn)所需的信息以及進(jìn)行最適合其設計修復的靈活性。


表 1. 使用基于模型的建議進(jìn)行的光刻熱點(diǎn)分析(改編自“Model Based Hint for Litho Hotspot Fixing Beyond 20nm node,” SPIE 2013)

有關(guān) MBH 系統的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是他們可以拓展,通過(guò)使用以原始目標層作為輸入端的分解層,為使用雙重或者三重圖案微影制造的層中發(fā)現的光刻熱點(diǎn)提供支持建議。這使設計人員能夠繼續解決20nm和以下的光刻熱點(diǎn)。事實(shí)上,我們已經(jīng)有許多客戶(hù)在多個(gè)設計中使用光刻模擬和 MBH 流片20nm芯片,從而消除光刻熱點(diǎn)。

當然,不言而喻,任何生成這些建議的軟件解決方案還需要準確和快速。

由于設計人員必須承擔越來(lái)越多的責任來(lái)確保設計可以通過(guò)日益復雜的生產(chǎn)流程進(jìn)行制造,EDA 軟件必須不斷發(fā)展來(lái)填補這一知識差距。具有基于模型的建議能力的光刻友好設計工具是 EDA 系統如何成為設計和制造之間橋梁的一個(gè)例子。

作者介紹:
Joe Kwan 是明導 Calibre LFD 和 Calibre DFM Services 的產(chǎn)品營(yíng)銷(xiāo)經(jīng)理。他過(guò)去曾在VLSI Technology、 COMPASS Design Automation 以及 Virtual Silicon 就職。Joe 在加州大學(xué)伯克利分校獲得計算機科學(xué)文學(xué)學(xué)士學(xué)位,并在斯坦福大學(xué)獲電氣工程理學(xué)碩士學(xué)位。 電郵:joe_kwan@mentor.com.
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