ARM與中芯國際針對移動(dòng)與消費應用擴展28納米制程工藝IP合作

發(fā)布時(shí)間:2014-2-10 09:36    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: ARM , Artisan , 物理IP , 中芯
為高性能系統級芯片設計提供創(chuàng )新IP支持

ARM與中國內地規模最大、技術(shù)最先進(jìn)的集成電路晶圓代工企業(yè)中芯國際共同宣布,雙方針對ARM Artisan 物理IP簽訂合作協(xié)議,為中芯國際的28納米poly SiON(PS)制程工藝提供高性能、高密度、低功耗的系統級芯片(SoC)設計支持。

基于這項合作,中芯國際與ARM將為廣大的消費應用提供全面的物理IP平臺與先進(jìn)制程工藝技術(shù)。這些應用均針對快速成長(cháng)的智能手機、平板電腦、無(wú)線(xiàn)設備、以及智能家居等市場(chǎng)。

中芯國際設計服務(wù)中心資深副總裁湯天申博士表示:“我們對于能夠支持ARM Artisan標準單元與新一代內存編譯器,感到十分高興。這次與ARM的進(jìn)一步合作將有助于我們的客戶(hù)在成本與功耗上實(shí)現更優(yōu)異的SoC設計!

ARM執行副總裁兼物理設計部門(mén)總經(jīng)理Dipesh Patel博士表示:“ARM Artisan標準單元與內存編譯器可為客戶(hù)提供高質(zhì)量與符合硅標準的設計產(chǎn)品,完全滿(mǎn)足客戶(hù)在縮短上市時(shí)間的要求。通過(guò)與中芯國際加深在28納米 PS工藝上的合作,ARM再次踐行了我們的一貫承諾—與業(yè)界領(lǐng)先的晶圓代工企業(yè)強強聯(lián)手,為客戶(hù)提供最佳的SoC設計實(shí)現!

ARM物理IP平臺

針對中芯國際28納米poly SiON(PS)制程工藝的ARM Artisan物理IP平臺,為實(shí)現廣泛的性能范圍及經(jīng)過(guò)面積優(yōu)化的低功耗SoC設計提供了基礎構件。同時(shí),ARM經(jīng)過(guò)硅驗證的IP平臺提供了全面的整套內存編譯器、標準單元與邏輯IP以及通用型的接口產(chǎn)品,以應對大部分移動(dòng)通信與計算對性能與功耗的需求。

通過(guò)ARM標準單元庫及內存編譯器,配合多溝道及混合閾值電壓(Vt)特性,用戶(hù)不僅能夠利用到中芯國際poly SiON尖端制程工藝的性能與功耗范圍,還將獲得更廣泛的性能與功率譜。這些特性確保了在重視性能的SoC設計的同時(shí),也能滿(mǎn)足功耗需求。

中芯國際集成電路制造有限公司是世界領(lǐng)先的集成電路晶圓代工企業(yè)之一,也是中國內地規模最大、技術(shù)最先進(jìn)的集成電路晶圓代工企業(yè)。中芯國際向全球客戶(hù)提供0.35微米到40納米晶圓代工與技術(shù)服務(wù)。中芯國際總部位于上海,在上海建有一座300mm晶圓廠(chǎng)和一座200mm超大規模晶圓廠(chǎng)。在北京建有一座300mm超大規模晶圓廠(chǎng),在天津建有一座200mm晶圓廠(chǎng),在深圳正開(kāi)發(fā)一個(gè)200mm晶圓廠(chǎng)項目。中芯國際還在美國、歐洲、日本和臺灣地區提供客戶(hù)服務(wù)和設立營(yíng)銷(xiāo)辦事處,同時(shí)在香港設立了代表處。
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