IR推出汽車(chē)級COOLiRFET功率MOSFET

發(fā)布時(shí)間:2014-6-26 16:29    發(fā)布者:eechina
AUIRFN8403以緊湊5x6mm PQFN封裝,提供高效率和高功率密度并減少系統成本

國際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR)推出汽車(chē)級COOLiRFET功率MOSFET AUIRFN8403,適合需要極小占位面積和大電流性能的汽車(chē)應用,包括泵電機控制和車(chē)身控制等。



使用緊湊5x6mm PQFN封裝的AUIRFN8403,是IR運用該公司最先進(jìn)的COOLiRFET 40V溝道技術(shù)的全新器件系列的首款產(chǎn)品,具有3.3 mΩ超低導通電阻和95A大電流承載能力。PQFN封裝具有加長(cháng)管腳,管腳的端口通過(guò)電鍍進(jìn)行焊接,從而可以確保有效的可焊性和易于檢查的焊點(diǎn)。

IR亞太區銷(xiāo)售副總裁潘大偉表示:“AUIRFN8403比傳統的DPAK (TO-252) 封裝減少超過(guò)50%的占位面積,比SO-8封裝的熱性能顯著(zhù)提高,為汽車(chē)應用提供了超緊湊的高效率、高密度、高性?xún)r(jià)比解決方案!

所有IR車(chē)用MOSFET產(chǎn)品都遵循IR要求零缺陷的汽車(chē)質(zhì)量理念,并經(jīng)過(guò)了動(dòng)態(tài)和靜態(tài)器件平均測試和100%自動(dòng)晶圓級目視檢查。AEC-Q101標準要求器件在經(jīng)過(guò)1,000次溫度循環(huán)測試后,導通電阻變化幅度不能超過(guò)20%。

新器件符合AEC-Q101標準,所采用的物料清單環(huán)保、不含鉛,并符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規定 (RoHS)。

規格
器件編號封裝V(BR)DSS (V)10VGS下的最大導通電阻(mΩ)TC 為 25°C 時(shí)的ID 最大值(A)10VGS下的QG (nC)
AUIRFN84035x6mm PQFN403.39565

產(chǎn)品現正接受批量訂單。相關(guān)數據和SPICE模型,請瀏覽IR的網(wǎng)站http://www.irf.com。
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