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~兼具更寬SOA范圍和更低導通電阻，被全球知名云平臺企業(yè)認證為推薦器件~ 半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，開(kāi)發(fā)出100V耐壓的功率MOSFET*1“RY7P250BM”，是AI服務(wù)器的48V電源熱插拔電路*2以及需要電池保護的工業(yè)設備電源等應用的理想之選。 
RY7P250BM為8×8mm尺寸的MOSFET，預計該尺寸產(chǎn)品未來(lái)需求將不斷增長(cháng)，可以輕松替代現有產(chǎn)品。另外，新產(chǎn)品同時(shí)實(shí)現了更寬SOA范圍*3（條件：VDS=48V、Pw＝1ms/10ms）和更低導通電阻（RDS(on)）*4，由此既可確保熱插拔（電源啟動(dòng)）工作時(shí)的更高產(chǎn)品可靠性，又能優(yōu)化電源效率，降低功耗并減少發(fā)熱量。 為了兼顧服務(wù)器的穩定運行和節能，熱插拔電路必須具有較寬的SOA范圍，以承受大電流負載。特別是AI服務(wù)器的熱插拔電路，與傳統服務(wù)器相比需要更寬的SOA范圍。RY7P250BM的SOA在脈寬10ms時(shí)可達16A、1ms時(shí)也可達50A，實(shí)現業(yè)界超優(yōu)性能，能夠應對以往MOSFET難以支持的高負載應用。 RY7P250BM是具有業(yè)界超寬SOA范圍的MOSFET，并且實(shí)現了更低導通電阻，從而大幅降低了通電時(shí)的功率損耗和發(fā)熱量。具有寬SOA范圍的普通8×8mm尺寸100V耐壓MOSFET的導通電阻絕大多數約為2.28mΩ，而RY7P250BM的導通電阻則降低了約18%——僅有1.86mΩ（條件：VGS=10V、ID=50A、Tj=25℃）。這種低導通電阻有助于提升服務(wù)器電源的效率、減輕冷卻負荷并降低電力成本。
與此同時(shí)，RY7P250BM還被全球知名云平臺企業(yè)認證為推薦器件，預計未來(lái)將在A(yíng)I服務(wù)器領(lǐng)域得到更廣泛的應用。在注重可靠性與節能的服務(wù)器領(lǐng)域中，RY7P250BM更寬SOA范圍與更低導通電阻的平衡在云應用中得到了高度好評。 新產(chǎn)品已經(jīng)暫以月產(chǎn)100萬(wàn)個(gè)的規模投入量產(chǎn)（樣品價(jià)格800日元/個(gè)，不含稅）。前道工序的生產(chǎn)基地為ROHM Co., Ltd.（日本滋賀工廠(chǎng)），后道工序的生產(chǎn)基地為OSAT（泰國）。另外，新產(chǎn)品已經(jīng)開(kāi)始通過(guò)電商進(jìn)行銷(xiāo)售，通過(guò)電商平臺均可購買(mǎi)。 未來(lái)，ROHM將繼續擴大適用于服務(wù)器和工業(yè)設備48V電源的產(chǎn)品陣容，通過(guò)提供效率高且可靠性高的解決方案，為建設可持續ICT基礎設施和節能貢獻力量。 ＜開(kāi)發(fā)背景＞ 隨著(zhù)AI技術(shù)的飛速發(fā)展，數據中心的負載急劇增加，服務(wù)器功耗也逐年攀升。特別是隨著(zhù)配備生成式AI和高性能GPU的服務(wù)器日益普及，如何兼顧進(jìn)一步提升電力效率和支持大電流這兩個(gè)相互沖突的需求，一直是個(gè)難題。在此背景下，相較傳統12V電源系統具有更高轉換效率的48V電源系統正在加速擴大應用。另外，在服務(wù)器運行狀態(tài)下實(shí)現模塊更換的熱插拔電路中，需要兼具更寬SOA范圍和更低導通電阻的MOSFET，以防止浪涌電流*5和過(guò)載時(shí)造成損壞。新產(chǎn)品“RY7P250BM”在8×8mm尺寸中同時(shí)具備業(yè)界超寬SOA范圍和超低導通電阻，有助于降低數據中心的功率損耗、減輕冷卻負荷，從而提升服務(wù)器的可靠性并實(shí)現節能。 ＜產(chǎn)品主要特性＞
＜應用示例＞ ・AI（人工智能）服務(wù)器和數據中心的48V系統電源熱插拔電路 ・工業(yè)設備48V系統電源（叉車(chē)、電動(dòng)工具、機器人、風(fēng)扇電機等） ・AGV（自動(dòng)導引車(chē)）等電池驅動(dòng)的工業(yè)設備 ・UPS、應急電源系統（電池備份單元） ＜電商銷(xiāo)售信息＞ 發(fā)售時(shí)間：2025年5月起 新產(chǎn)品在其他電商平臺也將逐步發(fā)售。 產(chǎn)品型號：RY7P250BM ＜關(guān)于EcoMOS品牌＞ EcoMOS是ROHM開(kāi)發(fā)的Si功率MOSFET品牌，非常適用于功率元器件領(lǐng)域對節能要求高的應用。 EcoMOS產(chǎn)品陣容豐富，已被廣泛用于家用電器、工業(yè)設備和車(chē)載等領(lǐng)域�？蛻�(hù)可根據應用需求，通過(guò)噪聲性能和開(kāi)關(guān)性能等各種參數從產(chǎn)品陣容中選擇產(chǎn)品。 ＜術(shù)語(yǔ)解說(shuō)＞ *1）功率MOSFET 適用于功率轉換和開(kāi)關(guān)應用的一種MOSFET。目前，通過(guò)給柵極施加相對于源極的正電壓而導通的Nch MOSFET是主流產(chǎn)品，相比Pch MOSFET，具有導通電阻小、效率高的特點(diǎn)。因其可實(shí)現低損耗和高速開(kāi)關(guān)而被廣泛用于電源電路、電機驅動(dòng)電路和逆變器等應用。
*2）熱插拔電路 可在設備電源運轉狀態(tài)下實(shí)現元器件插入或拆卸的、支持熱插拔功能的整個(gè)電路。由MOSFET、保護元件和接插件等組成，負責抑制元器件插入時(shí)產(chǎn)生的浪涌電流并提供過(guò)流保護，從而確保系統和所連接元器件的安全工作。 *3）SOA（Safe Operating Area）范圍 元器件不損壞且可安全工作的電壓和電流范圍。超出該安全工作區工作可能會(huì )導致熱失控或損壞，特別是在會(huì )發(fā)生浪涌電流和過(guò)電流的應用中，需要考慮SOA范圍。 *4）導通電阻（RDS(on)） MOSFET工作（導通）時(shí)漏極與源極間的電阻值。該值越小，工作時(shí)的損耗（功率損耗）越少。 *5）浪涌電流（Inrush Current） 在電子設備接通電源時(shí)，瞬間流過(guò)的超過(guò)額定電流值的大電流。因其會(huì )給電源電路中的元器件造成負荷，所以通過(guò)控制浪涌電流，可防止設備損壞并提高系統穩定性。 |
