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TrenchFET 器件采用PowerPAK SO-8S封裝，RthJC低至0.45 C/W，ID高達144 A，從而提高功率密度 威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）推出采用PowerPAK SO-8S（QFN 6x5）封裝的全新150 V TrenchFET Gen V N溝道功率MOSFET---SiRS5700DP，旨在提高通信、工業(yè)和計算應用領(lǐng)域的效率和功率密度。與上一代采用PowerPAK SO-8封裝的器件相比，Vishay Siliconix SiRS5700DP的總導通電阻降低了68.3 %，導通電阻和柵極電荷乘積（功率轉換應用中MOSFET的關(guān)鍵品質(zhì)因數（FOM）降低了15.4 %，RthJC降低了62.5 %，而連續漏極電流增加了179 %。 
日前發(fā)布的器件具有業(yè)內先進(jìn)的導通電阻（10 V 時(shí)為 5.6 m）以及導通電阻和柵極電荷乘積FOM（336 m*nC），可最大限度降低傳導造成的功率損耗。因此，設計人員能夠提高效率，滿(mǎn)足下一代電源的要求，例如6 kW AI服務(wù)器電源系統。此外，PowerPAK SO-8S封裝具有超低的 0.45 °C/W RthJC，可實(shí)現高達144 A的持續漏極電流，從而提高功率密度，同時(shí)提供強大的SOA能力。 SiRS5700DP非常適合同步整流、DC/DC轉換、熱插拔開(kāi)關(guān)和OR-ing功能。典型應用包括服務(wù)器、邊緣計算、超級計算機和數據存儲；通信電源；太陽(yáng)能逆變器；電機驅動(dòng)和電動(dòng)工具；以及電池管理系統。MOSFET符合RoHS標準且無(wú)鹵素，經(jīng)過(guò)100 % Rg和UIS測試，符合IPC-9701標準，可實(shí)現更加可靠的溫度循環(huán)。器件的標準尺寸為6 mm × 5 mm，完全兼容PowerPAK SO-8封裝。 SiRS5700DP現可提供樣品并已實(shí)現量產(chǎn)。關(guān)于訂貨周期信息，請聯(lián)系您當地的銷(xiāo)售辦事處。 |
