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作者：Aaron Shapiro，ADI公司產(chǎn)品應用工程師 問(wèn)題 我按照數據手冊在原理圖中使用了10 Ω柵極電阻，但在啟動(dòng)期間仍有振鈴。我的熱插拔控制器電路為何會(huì )振蕩？ 
回答 使用高端N溝道MOSFET開(kāi)關(guān)的熱插拔器件在啟動(dòng)和限流期間可能會(huì )發(fā)生振蕩。雖然這不是新問(wèn)題，但數據手冊通常缺少解決方案的詳細信息。如果不了解基本原理，只是添加一個(gè)小柵極電阻進(jìn)行簡(jiǎn)單修復，可能會(huì )導致電路布局容易產(chǎn)生振蕩。本文旨在解釋寄生振蕩的理論，并為正確實(shí)施解決方案提供指導。 簡(jiǎn)介 使用高端N溝道MOSFET (NFET)的熱插拔控制器、浪涌抑制器、電子保險絲 和理想二極管控制器，在啟動(dòng)和電壓/電流調節期間可能會(huì )發(fā)生振蕩。數據手冊通常會(huì )簡(jiǎn)要提到這個(gè)問(wèn)題，并建議添加一個(gè)小柵極電阻來(lái)解決。然而，如果不清楚振蕩的根本原因，設計人員就可能難以在布局中妥善放置柵極電阻，使電路容易受到振蕩的影響。本文將討論寄生振蕩的原理，以幫助設計人員避免不必要的電路板修改。 最初，添加柵極電阻可能沒(méi)什么必要，因為看起來(lái)NFET柵極的電阻為無(wú)窮大。用戶(hù)可能會(huì )忽略這個(gè)步驟，并且不會(huì )出現問(wèn)題，進(jìn)而會(huì )質(zhì)疑柵極電阻是否有必要。但10 Ω柵極電阻可以有效抑制柵極節點(diǎn)上振鈴。柵極節點(diǎn)含有諧振電路的元件，包括柵極走線(xiàn)本身。較長(cháng)PCB走線(xiàn)會(huì )將寄生電感和分布電容引入附近的接地平面，從而形成通向地的高頻路徑。針對高安全工作區(SOA)優(yōu)化的功率FET具有數納法拉的柵極電容，為增加電流處理能力而并聯(lián)更多FET時(shí)，此問(wèn)題會(huì )加劇。用于鉗位FET的VGS的齊納二極管也會(huì )帶來(lái)寄生電容，不過(guò)功率FET的CISS影響較大。 圖1為帶寄生效應的通用PowerPath控制器。
圖1.通用PowerPath控制器 旋轉電路后（見(jiàn)圖2），其與Colpitts振蕩器的相似性就非常明顯了（見(jiàn)圖3）。這是一個(gè)具有附加增益的諧振電路，能夠產(chǎn)生持續振蕩，使用N溝道FET的PowerPath控制器可能會(huì )采用這種配置。
圖2.旋轉后的PowerPath控制器。
圖3.Colpitts振蕩器。 Colpitts振蕩器使用緩沖器通過(guò)容性分壓器提供正反饋。在PowerPath控制器中，這是由FET實(shí)現的。它處于共漏極/源極跟隨器配置中，因此可充當交流緩沖器，在更高漏極電流下性能更好。容性分壓器頂部的信號被注入分壓器的中間，導致分壓器頂部的信號上升，然后重復這一過(guò)程。 振蕩常發(fā)生在以下FET未完全導通的情況中： 1. 初始啟動(dòng)期間，當柵極電壓上升且輸出電容充電時(shí)。 2. 正在調節電流時(shí)（如果控制器使用有源限流功能）。 3. 正在調節電壓時(shí)（如在浪涌抑制器中所見(jiàn)）。 為了驗證開(kāi)關(guān)FET在Colpitts振蕩器拓撲中的作用，我們構建了一個(gè)沒(méi)有柵極驅動(dòng)器IC的基本電路（見(jiàn)圖5）。FET的CGS（圖4中未顯示為分立元件）與C2構成分壓器。
圖4.NFET作為Colpitts振蕩器的測試電路
圖5.電路原型
圖6.示波器圖顯示施加直流電時(shí)出現振蕩 圖6中觀(guān)察到了振蕩，這表明高端NFET開(kāi)關(guān)處于Colpitts拓撲中。 現在我們轉到熱插拔控制器，看看是否進(jìn)行調整以引起振蕩。演示板用于啟動(dòng)容性負載測試。在啟動(dòng)期間，柵極電壓按照設定的dV/dt上升，輸出也隨之上升。根據公式IINRUSH＝CLOAD×dV/dt，進(jìn)入輸出電容的沖擊電流由dV/dt控制。為了提高FET的跨導(gm)，沖擊電流設置為相對較高的值3 A。測試設置（見(jiàn)圖7）： ► UV和OV功能禁用。 ► CTRACE代表走線(xiàn)電容，是10 nF分立陶瓷電容。 ► LTRACE是150 nH分立電感，位于LT4260的GATE引腳和NFET的柵極之間，代表走線(xiàn)電感。 ► 2 mΩ檢測電阻將折返電流限制為10A。 ► 68 nF柵極電容將啟動(dòng)時(shí)間延長(cháng)至數十毫秒，在此期間FET容易受到振蕩的影響。 ► 15 mF輸出電容會(huì )在啟動(dòng)期間吸收數安培的沖擊電流，從而提高FET的gm。 ► 12 Ω負載為FET的gm提供額外電流。
圖7.簡(jiǎn)化測試電路
圖8.示波器圖顯示了啟動(dòng)期間逐漸衰減的振蕩 注意圖8中的波形，一旦柵極電壓上升到FET的閾值電壓，GATE和OUT波形就出現振鈴，這是由GATE波形突然階躍導致沖擊電流過(guò)沖而引起的。隨后振鈴逐漸消退。 為使瞬態(tài)振鈴進(jìn)入連續振蕩狀態(tài)，必須增加FET的增益。將VIN從12 V提升至18 V，負載電流和gm都會(huì )增加。這會(huì )將正反饋放大到足以維持振蕩的水平，如圖9中的示波器圖所示。
圖9.示波器圖顯示提高VIN產(chǎn)生連續振蕩
圖10.添加柵極電阻的演示板測試電路 現在問(wèn)題已經(jīng)重現，我們可以實(shí)施眾所周知的解決方案：將一個(gè)10 Ω柵極電阻與電感串聯(lián)（見(jiàn)圖10）。增加柵極電阻后有效抑制了振蕩，使系統能夠平穩啟動(dòng)（見(jiàn)圖11）。
圖11.示波器圖顯示，添加柵極電阻后，啟動(dòng)時(shí)無(wú)振蕩 回到基本的NFET Colpitts振蕩器，引入可切換柵極電阻后，可觀(guān)察到RGATE的阻尼效應（見(jiàn)圖12）。當從0 Ω逐步增至10 Ω時(shí)，振蕩會(huì )衰減，如圖13所示。
圖12.基本NFET Colpitts振蕩器，添加了可切換RGATE
圖13.示波器圖顯示，隨著(zhù)RGATE逐步增加，振蕩逐漸消失 結論 本文介紹了寄生FET振蕩的理論，通過(guò)工作臺實(shí)驗驗證了Colpitts模型，在演示板上再現了振蕩問(wèn)題，并使用大家熟悉的解決方案解決了該問(wèn)題。將10 Ω柵極電阻盡可能靠近FET柵極引腳放置，可將PCB走線(xiàn)的寄生電感與FET的輸入電容分開(kāi)。只需一個(gè)表貼電阻就能消除柵極振鈴或振蕩的可能性，用戶(hù)不再需要耗時(shí)費力地排除故障和重新設計電路板。 作者簡(jiǎn)介 Aaron Shapiro于2019年加入ADI公司，從事熱插拔控制器產(chǎn)品工作。他曾就讀于美國加州州立大學(xué)薩克拉曼多分校，主修模擬電子學(xué)，獲電氣工程學(xué)士學(xué)位。 |
