東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社（“東芝”）今日宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGLTM（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車(chē)載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產(chǎn)品于今日開(kāi)始支持批量出貨。
自動(dòng)駕駛系統等高安全級別的應用可通過(guò)冗余設計確�？煽啃�，因此與標準系統相比，它們集成了更多的器件，需要更多的表貼空間。所以，要進(jìn)一步縮小汽車(chē)設備的尺寸，需要能夠在高電流密度下表貼的功率MOSFET。 XPJR6604PB和XPJ1R004PB采用東芝的新型S-TOGLTM封裝（7.0mm×8.44mm[1]），其特點(diǎn)是采用無(wú)接線(xiàn)柱結構，將源極連接件和外部引腳一體化。源級引腳的多針結構降低了封裝電阻。 與具有相同熱阻特性的東芝TO-220SM（W）封裝產(chǎn)品[2]相比，S-TOGLTM封裝與東芝U-MOS IX-H工藝相結合，可實(shí)現導通電阻顯著(zhù)降低11%。與TO-220SM（W）封裝相比，新型封裝還將所需的表貼面積減少了大約55%。此外，采用新型封裝的產(chǎn)品可提供200A漏極額定電流，高于東芝類(lèi)似尺寸的DPAK＋封裝（6.5mm×9.5mm[1]）產(chǎn)品，從而實(shí)現了大電流�？傮w而言，S-TOGLTM封裝可實(shí)現高密度和緊湊布局，縮小汽車(chē)設備的尺寸，并有助于實(shí)現高散熱。 由于汽車(chē)設備可能在極端溫度環(huán)境下工作，因此表面貼裝焊點(diǎn)的可靠性是一個(gè)關(guān)鍵考慮因素。S-TOGLTM封裝采用鷗翼式引腳，可降低表貼應力，提高焊點(diǎn)的可靠性。 當需要并聯(lián)多個(gè)器件為應用提供更大工作電流時(shí)，東芝支持這兩款新產(chǎn)品按柵極閾值電壓分組出貨[3]。這樣可以確保設計使用同一組別的產(chǎn)品，從而減小特性偏差。 東芝將繼續擴展其功率半導體產(chǎn)品線(xiàn)，并通過(guò)用戶(hù)友好型、高性能功率器件為實(shí)現碳中和做出貢獻。 應用 - 汽車(chē)設備：逆變器、半導體繼電器、負載開(kāi)關(guān)、電機驅動(dòng)等 特性 - 新型S-TOGLTM封裝：7.0mm×8.44mm（典型值） - 高額定漏極電流： XPJR6604PB：ID＝200A XPJ1R004PB：ID＝160A - AEC-Q101認證 - 提供IATF 16949/PPAP[4] - 低導通電阻： XPJR6604PB：RDS(ON)＝0.53mΩ（典型值）（VGS＝10V） XPJ1R004PB：RDS(ON)＝0.8mΩ（典型值）（VGS＝10V） 主要規格
[1] 典型封裝尺寸，包括引腳。 [2] TKR74F04PB采用TO-220SM（W）封裝。 [3] 東芝可以提供分組出貨，每卷產(chǎn)品的柵極閾值電壓浮動(dòng)范圍為0.4V。但是不允許指定特定組別。請聯(lián)系東芝銷(xiāo)售代表了解更多信息。 [4] 請聯(lián)系東芝銷(xiāo)售代表了解更多信息。 如需了解有關(guān)新產(chǎn)品的更多信息，請訪(fǎng)問(wèn)以下網(wǎng)址： XPJR6604PB https://toshiba-semicon-storage. ... ail.XPJR6604PB.html XPJ1R004PB https://toshiba-semicon-storage. ... ail.XPJ1R004PB.html 如需了解東芝車(chē)載MOSFET的更多信息，請訪(fǎng)問(wèn)以下網(wǎng)址： 車(chē)載MOSFET https://toshiba-semicon-storage. ... motive-mosfets.html | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
