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第四代器件，額定功率和功率密度高于D2PAK 封裝產(chǎn)品，降低導通和開(kāi)關(guān)損耗，從而提升能效 威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）推出首款采用新型PowerPAK 8 x 8LR封裝的第四代600 V E系列功率MOSFET---SiHR080N60E，為通信、工業(yè)和計算應用提供高效的高功率密度解決方案。與前代器件相比，Vishay Siliconix n溝道SiHR080N60E導通電阻降低27 %，導通電阻與柵極電荷乘積，即600 V MOSFET在功率轉換應用中的重要優(yōu)值系數（FOM）下降60 %，額定電流高于D2PAK封裝器件，同時(shí)減小占位面積。 
Vishay豐富的MOSFET技術(shù)全面支持功率轉換過(guò)程，涵蓋需要高壓輸入到低壓輸出的各種先進(jìn)高科技設備。隨著(zhù)SiHR080N60E的推出，以及其他第四代600 V E系列器件的發(fā)布，Vishay可在電源系統架構設計初期滿(mǎn)足提高能效和功率密度兩方面的要求—包括功率因數校正（PFC）和后面的DC/DC轉換器磚式電源。典型應用包括服務(wù)器、邊緣計算、超級計算機、數據存儲、UPS、高強度放電（HID）燈和熒光鎮流器、通信SMPS、太陽(yáng)能逆變器、焊接設備、感應加熱、電機驅動(dòng)，以及電池充電器。 SiHR080N60E采用小型PowerPAK 8 x 8LR封裝，外形尺寸為10.42 mm x 8 mm x 1.65 mm，占位面積比D2PAK封裝減小50.8 %，高度降低66 %。由于封裝采用頂側冷卻，因此具有出色的熱性能，結殼（漏極）熱阻僅為0.25 C/W。相同導通電阻下，額定電流比D2PAK封裝高46 %，從而顯著(zhù)提高功率密度。此外，封裝的鷗翼引線(xiàn)結構具有優(yōu)異的溫度循環(huán)性能。 SiHR080N60E采用Vishay先進(jìn)的高能效E系列超級結技術(shù)，10 V下典型導通電阻僅為0.074 Ω，超低柵極電荷下降到42 nC。器件的FOM為3.1 Ω*nC，達到業(yè)內先進(jìn)水平，這些性能參數意味著(zhù)降低了傳導和開(kāi)關(guān)損耗，從而實(shí)現節能并提高2 kW以上電源系統的效率。日前發(fā)布的MOSFET有效輸出電容Co(er) 和Co(tr)典型值分別僅為79 pF和499 pF，有助于改善硬開(kāi)關(guān)拓撲結構開(kāi)關(guān)性能，如PFC、半橋和雙開(kāi)關(guān)順向設計。封裝還提供開(kāi)爾文（Kelvin）連接，以提高開(kāi)關(guān)效率。 器件符合RoHS標準，無(wú)鹵素，耐受雪崩模式下過(guò)壓瞬變，并保證極限值100 %通過(guò)UIS測試。 SiHR080N60E現可提供樣品并已實(shí)現量產(chǎn)，如想了解供貨周期的相關(guān)信息，請與當地銷(xiāo)售部聯(lián)系。 |
