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器件擁有同類(lèi)產(chǎn)品中最佳的性能，并通過(guò)美國航天項目認證測試 新的JANSR+100krad低劑量速率晶體管為太空等輻射環(huán)境應用科技提供優(yōu)異的抗電離輻射性能 意法半導體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST) 在最近召開(kāi)的巴黎核能與太空輻射效應大會(huì )(NSREC, Nuclear and Space Radiation Effects Conference)上宣布，其現有的JANS/JANSR 產(chǎn)品新增一系列經(jīng)過(guò)篩選的獲得國防軍備后勤局(DLA, Defense Logistics Agency)認證的JANSR雙極晶體管。新晶體管擁有同類(lèi)產(chǎn)品中最佳的抗輻射性能，特別適合航天和高可靠性系統，包括衛星以及核物理(nuclear physics)和醫療應用。 
意法半導體自1977年起開(kāi)始為歐洲航天局(European Space Agency)提供半導體解決方案，在歐洲航天局成立后一直獲得該航天局的產(chǎn)品認證。意法半導體不斷改善抗輻射產(chǎn)品性能，目前推出的新產(chǎn)品就是一個(gè)典型實(shí)例。 JANS系統屬于意法半導體于2013年發(fā)布的歐洲空間元器件協(xié)調委員會(huì )(ESCC, European Space Components Coordination)項目的創(chuàng )新成果。新發(fā)布的JANSR+包括一系列100krad JANSR高劑量速率雙極晶體管，意法半導體對每顆晶圓做了額外的100krad低劑量速率(100 mrad/s)測試。此外，意法半導體還宣布其JANSR+產(chǎn)品將提供超低劑量速率(10 mrad/s)測試數據，展示其出色的抗輻射效應性能。 因此，意法半導體的JANSR+系列產(chǎn)品讓客戶(hù)有機會(huì )使用抗輻射性能優(yōu)異且配備所有相關(guān)測試數據的抗輻射產(chǎn)品�？蛻�(hù)可直接使用這些產(chǎn)品，無(wú)需任何額外的篩選成本和交貨周期，因此大幅提升了抗輻射產(chǎn)品的市場(chǎng)標準。 意法半導體事業(yè)部副總裁兼功率晶體管產(chǎn)品部總經(jīng)理Mario Aleo表示：“意法半導體為歐洲航天工業(yè)提供抗輻射雙極晶體管的時(shí)間長(cháng)達35年，我們的產(chǎn)品飛行時(shí)間累計超過(guò)數億個(gè)小時(shí)。我們專(zhuān)門(mén)調整的航天技術(shù)設計取得了同類(lèi)最好的抗輻射性能，現在又獲得了DLA證書(shū)，美國客戶(hù)將受益于我們的無(wú)與倫比的耐輻射性能�！� 所有產(chǎn)品都采用先進(jìn)的密閉UB封裝，可立即提供樣品及開(kāi)放大批量訂貨。 詳情請查詢(xún)網(wǎng)頁(yè)www.st.com/radhard-bipoltransistors-pr 技術(shù)說(shuō)明 (1) 半導體器件的輻射效應與多個(gè)因素有關(guān)。對于雙極晶體管，總輻射劑量(總輻射劑量越大，輻射影響越大)和劑量速率(當總輻射劑量給定時(shí)，劑量速率越低，輻射影響越大)是兩個(gè)重要因素。低劑量速率特性對于衛星至關(guān)重要，因為太空中的劑量速率很低(在10 mrad/s范圍內)。不過(guò)，標準JANSR認證只考慮高劑量速率，而高劑量速率既不是最?lèi)毫拥妮椛淝闆r，也不是半導體器件在空間中經(jīng)常遇到的輻照狀況。 輻射強化器件又稱(chēng)抗輻射器件，按照航天局測試規范，抗輻射器件是在輻射環(huán)境中接受測試，以便讓設計人員知道產(chǎn)品能否成功耐受輻射，經(jīng)過(guò)輻射后器件能否達到預期性能�？馆椛淦骷菫槟褪茏�?lèi)毫拥奶蛰椛洵h(huán)境而專(zhuān)門(mén)研制的半導體器件。吸收輻射劑量的測量單位為rad。意法半導體的產(chǎn)品在實(shí)際空間條件下輻射性能十分優(yōu)異，并配有支持其所聲稱(chēng)的抗輻射性能的測試數據。 (2) 據文獻記載，業(yè)界公認全身輻照劑量達到10 krad將會(huì )導致死亡。JANSR規范保證抗輻射性能達到100 krad。 (3) JANSR+ 低劑量速率保證測試是對每顆晶圓進(jìn)行10項測試(5個(gè)偏壓和5個(gè)不偏壓)。每件產(chǎn)品都配備輻射驗證測試(RVT)報告，包含在5種不同輻射程度時(shí)重要參數的漂移。 (4) 意法半導體的新抗輻射雙極晶體管的最大集電極-發(fā)射極電壓高達160V, 最大集電極電流高達5A,正向電流增益(hFE)高達450。 |
