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GEMINI FB XT在晶圓鍵合領(lǐng)域突破國際半導體技術(shù)藍圖標準，晶圓對晶圓排列效果提升可達三倍；同時(shí)強化生產(chǎn)能量，使產(chǎn)能增加50% EVG集團今日公布了新一代融化晶圓鍵合平臺GEMINI FB XT，該平臺匯集多項技術(shù)突破，令半導體行業(yè)向實(shí)現3D-IC硅片通道高容量生產(chǎn)的目標又邁進(jìn)了一步。新平臺晶圓對晶圓排列精度是過(guò)去標準平臺的三倍，生產(chǎn)能力更是比先前高出50%，此外GEMINI FB XT平臺還為半導體行業(yè)應用3D-IC及硅片通道技術(shù)掃清了幾大關(guān)鍵障礙，使半導體行業(yè)能夠在未來(lái)不斷提升設備密度，強化設備機能，同時(shí)又無(wú)需求助于越發(fā)昂貴復雜的光刻工藝技術(shù)。 晶圓對晶圓鍵合是激活諸如堆疊式內存，邏輯記憶以及未來(lái)互補金屬氧化物半導體圖像感應器等3D裝置的一個(gè)關(guān)鍵步驟。與此同時(shí)，是實(shí)現各鍵合晶圓之間電接觸點(diǎn)的硅片通道尺寸的最小化，降低3D裝置成本，支持更高水平裝置性能及帶寬，減少裝置耗電量的一個(gè)關(guān)鍵方面。然而，只有實(shí)現了各晶圓之間緊密排列和套準精度，保證鍵合晶圓上互相連接的裝置維持高效電接觸，并且將鍵合面上的連接區域最小化，才能夠將更多的晶圓面積用于裝置生產(chǎn)。 對位精度是3D-IC融化鍵合的關(guān)鍵 根據2012年國際半導體技術(shù)藍圖顯示，應用高密度硅片通道必須在2015年以前達到鍵合晶圓對位精度500納米（3西格瑪）。而要實(shí)現混合鍵合高產(chǎn)量，則需要更高的精度規格。 GEMINI FB XT平臺包含了EVG集團新推出的SmartView NT2鍵合對準機，能夠大幅提升晶圓對晶圓對位精度至200納米以下（3西格瑪）。這意味著(zhù)，同過(guò)去大量使用的SmartView NT平臺——即先前的行業(yè)晶圓對位精度基準——相比，新平臺的晶圓對位精度將達到先前的三倍，突破最新的國際半導體技術(shù)藍圖標準，為正在考慮在產(chǎn)品設計中引入3D-IC及硅片通道技術(shù)的制造商清除一個(gè)關(guān)鍵障礙。一體化的計量模塊在預先鍵合后確定排列能夠使客戶(hù)在必要時(shí)迅速調整高容量生產(chǎn)加工的鍵和過(guò)程。 XT架構平臺是EVG集團在半導體行業(yè)廣泛使用的一款平臺，相比之下，GEMINI FB XT則是為了實(shí)現超高能吞吐量及性能而專(zhuān)門(mén)優(yōu)化設計的。額外添加的預先和事后加工模組所具備的晶圓清潔、平面準備、等粒子激活以及晶圓鍵合排列功能使得該平臺的吞吐量提高了50%。而除此之外，由于新平臺的晶圓排列更加緊密，IC制造商們得以將晶圓堆疊從半導體制造價(jià)值鏈的中后段加工推至最前端。而這又使得裝置制造商們能夠從晶圓層面為各自的產(chǎn)品添加更多功能，同時(shí)，高水平的并行加工又能夠大幅度降低3D-IC及硅片通道的制造成本，真可謂是一舉多得。 “隨著(zhù)EUV平板印刷技術(shù)不斷延期，3D-IC及硅片通道一體化已經(jīng)逐漸成為未來(lái)半導體裝置延續摩爾定律的最具潛力的方式之一。不過(guò)，要在新興的記憶邏輯應用中融入3D-IC和硅片通道技術(shù)，首先必須實(shí)現晶圓對晶圓緊密排列�！盓VG集團技術(shù)主管Paul Lindner如是說(shuō)道�！癊VG集團將繼續不斷改進(jìn)旗下的3D-IC及硅片通道應用產(chǎn)品，以幫助客戶(hù)能盡早實(shí)現3D-IC技術(shù)的商業(yè)化，新一代的GEMINI FB XT平臺是實(shí)現這一目標的一個(gè)重要里程碑，我們期待與客戶(hù)們一道努力，爭取最大的發(fā)揮出3D-IC高產(chǎn)量制造的潛力�！� |
