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美國當地6月4日，全球第三大晶圓代工廠(chǎng)格芯（GlobalFoundries）宣布，將在未來(lái)五年內向美國紐約州和佛蒙特州工廠(chǎng)投資160億美元，用于擴建半導體制造產(chǎn)能并深化先進(jìn)封裝與光子學(xué)技術(shù)研發(fā)。這一戰略布局標志著(zhù)美國半導體產(chǎn)業(yè)回流政策再獲重大進(jìn)展，格芯亦借此強化其在A(yíng)I芯片、國防電子及電源管理領(lǐng)域的差異化競爭力。 130億美元投向晶圓廠(chǎng)擴建，聚焦成熟制程與特種工藝 格芯此次投資的核心為紐約州馬耳他鎮的Fab 8晶圓廠(chǎng)及佛蒙特州伯靈頓的Fab 9工廠(chǎng)。其中，Fab 8作為格芯技術(shù)最先進(jìn)的14nm/12nm FinFET晶圓廠(chǎng)，將獲得超過(guò)100億美元的擴建資金，新增產(chǎn)能預計覆蓋AI數據中心芯片、5G通信基帶及車(chē)規級MCU。格芯CEO蒂姆·布林（Tim Breen）透露，Fab 8已行使土地購買(mǎi)權，在現有廠(chǎng)區旁新增66英畝用地，未來(lái)將整合氮化鎵（GaN）電源芯片產(chǎn)線(xiàn)，該技術(shù)可降低數據中心能耗30%，并提升電動(dòng)汽車(chē)充電效率。 佛蒙特州Fab 9則側重氮化鎵電源管理芯片的研發(fā)與量產(chǎn)。格芯指出，其基于GaN的差異化電源解決方案已通過(guò)美國國防部認證，可滿(mǎn)足軍用雷達、高超聲速武器等嚴苛場(chǎng)景需求。目前，Fab 9的GaN芯片良率達95%，較行業(yè)平均水平高出15個(gè)百分點(diǎn)。 30億美元押注先進(jìn)封裝與光子學(xué)，打造“芯片-光學(xué)”集成方案 除晶圓廠(chǎng)擴建外，格芯將投入30億美元用于研發(fā)下一代封裝技術(shù)及硅光子學(xué)平臺。其中，紐約州馬耳他先進(jìn)封裝和光子中心（APPC）將成為核心載體，該中心初期投資已達5.75億美元，未來(lái)將追加1.86億美元，聚焦3D異構集成、Chiplet互連及硅光子收發(fā)器研發(fā)。 格芯強調，其硅光子平臺可實(shí)現每秒太比特級數據傳輸，較傳統銅互連功耗降低80%，適用于A(yíng)I集群的芯片間高速通信。此外，APPC還將開(kāi)發(fā)針對自動(dòng)駕駛的激光雷達封裝方案，通過(guò)晶圓級光學(xué)封裝技術(shù)，將激光雷達體積縮小40%，成本降低35%。 客戶(hù)協(xié)同與政策支持：蘋(píng)果、高通、通用汽車(chē)背書(shū)，政府補貼落地 格芯的擴產(chǎn)計劃已獲得核心客戶(hù)支持。蘋(píng)果表示，其Mac系列芯片未來(lái)將增加在Fab 8的代工比例，高通則計劃將5G基帶芯片訂單轉移至格芯美國工廠(chǎng)。汽車(chē)領(lǐng)域，通用汽車(chē)與格芯合作開(kāi)發(fā)的氮化鎵車(chē)載充電器已進(jìn)入量產(chǎn)階段，可支持800V高壓平臺，充電效率較傳統方案提升50%。 政策層面，格芯預計將從《芯片與科學(xué)法案》中獲得約7.5億美元直接補貼，紐約州政府亦承諾提供2億美元基礎設施支持。布林指出，美國客戶(hù)對“本土制造”的需求激增，過(guò)去半年要求增加美國產(chǎn)量的訂單占比已達40%，較2024年提升25個(gè)百分點(diǎn)。 技術(shù)路線(xiàn)圖：FD-SOI與GaN雙輪驅動(dòng)，填補臺積電空白 格芯的戰略定位與臺積電形成差異化。在先進(jìn)制程領(lǐng)域，格芯已放棄7nm以下工藝競爭，轉而聚焦FD-SOI（全耗盡型絕緣體上硅）及GaN等成熟制程。其22FDX工藝可實(shí)現0.4V超低電壓運行，適用于物聯(lián)網(wǎng)、邊緣AI等場(chǎng)景，較臺積電28nm功耗降低40%。 在A(yíng)I芯片領(lǐng)域，格芯與英偉達合作開(kāi)發(fā)HBM2e封裝方案，通過(guò)硅中介層（Interposer）技術(shù)實(shí)現DRAM與GPU的3D堆疊，帶寬較傳統方案提升3倍。此外，格芯的硅光子平臺已與思科、博通等廠(chǎng)商聯(lián)合測試，未來(lái)將應用于數據中心的光互連模塊。 市場(chǎng)影響：重構美國半導體供應鏈，挑戰臺積電全球地位 格芯的擴產(chǎn)將顯著(zhù)提升美國本土芯片制造能力。據SEMI數據，目前美國在成熟制程芯片（28nm及以上）的全球市占率僅5%，格芯計劃通過(guò)此次投資，將美國成熟制程產(chǎn)能占比提升至15%，并覆蓋70%的國防電子芯片需求。 行業(yè)分析師指出，格芯的FD-SOI與GaN技術(shù)組合，可能對臺積電形成替代效應。尤其在汽車(chē)與工業(yè)領(lǐng)域，格芯的GaN芯片良率與成本優(yōu)勢，已吸引多家歐洲車(chē)企轉移訂單。同時(shí)，格芯與聯(lián)電的合并傳聞雖未證實(shí)，但若雙方整合，新實(shí)體將躋身全球第二大晶圓代工廠(chǎng)，直接挑戰臺積電的壟斷地位。 |
