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EMIPAK封裝的可擴展器件適用于NPC拓撲、三電平逆變器和多級升壓轉換器 Vishay推出專(zhuān)門(mén)為串接太陽(yáng)能逆變器和中功率不間斷電源(UPS)設計的新款IGBT電源模塊。Vishay Semiconductor模塊在采用壓合技術(shù)的單片封裝內組合了超快Trench IGBT、高效HEXFRED和FRED Pt二極管，用熱敏電阻輕松實(shí)現熱管理，為基于三電平中性點(diǎn)鉗位(NPC)拓撲和交叉多通道MPPT（最大功率點(diǎn)跟蹤）的升壓轉換器提供了完整的集成方案。 
通過(guò)集成設計，今天發(fā)布的這些器件可幫助設計者縮短產(chǎn)品上市時(shí)間，提高系統整體性能。VS-ENQ030L120S的集電極到發(fā)射極的擊穿電壓為1200V，集電極電流達到30A，適合三電平NPC拓撲。VS-ETF075Y60U和VS-ETF150Y65U可用于三電平逆變器級，集電極電流分別為75A和150A，集電極到發(fā)射極的擊穿電壓分別為600V和650V，可在+175℃高溫下工作。15A VS-ETL015Y120H適用于雙路升壓轉換器，集電極到發(fā)射極的擊穿電壓為1200V，采用高效硅啟動(dòng)二極管，集成62A旁路二極管、電池板短路全電流反向極性保護二極管。所有器件均采用模塊化和可擴展設計，以適應高更功率的應用。 電源模塊采用EMIPAK-1B (VS-ENQ030L120S)和EMIPAK-2B (VS-ETF075Y60U，VS-ETF150Y65U和VS-ETL015Y120H)封裝，無(wú)焊膏壓合技術(shù)簡(jiǎn)化了PCB安裝，同時(shí)外露的DBC襯底能夠實(shí)現更低的熱阻。器件具有較低的內電感和開(kāi)關(guān)損耗，工作頻率可達20kHz。模塊的布局經(jīng)過(guò)優(yōu)化，使寄生參數最小化，以實(shí)現更好的EMI性能。 器件符合RoHS，通過(guò)UL的file E78996認證(正在申請VS-ENQ030L120S認證)。Vishay的電源模塊符合業(yè)內標準，可根據特定應用的要求提供定制方案。 新IGBT電源模塊現可提供樣品，并已實(shí)現量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十周到十二周。 |
