意法半導體積極開(kāi)發(fā)與航天應用相關(guān)的抗輻射產(chǎn)品組合，推出兩款并聯(lián)式基準電壓芯片(shunt Voltage References)。RHF1009A是一款可在2.5V至5.5V范圍內調整電壓的基準電壓芯片；而RHF100則是一款維持1.2V固定電壓的基準電壓解決方案。這兩款基準電壓芯片特別為航天應用領(lǐng)域設計，具有可抵抗強烈太空輻射的高耐受度，引腳與市面上的同類(lèi)工業(yè)標準的產(chǎn)品相容。兩款產(chǎn)品均已通過(guò)了美國航天局 (DLA) 的 QML-V 認證，并因其穩定優(yōu)秀的性能，被正式收入歐洲航天元器件優(yōu)選目錄 (EPPL, European Preferred Parts List) ，可供歐洲航天硬件及相關(guān)設備廠(chǎng)商選購。
兩款器件都采用意法半導體的250nm BiCMOS 制造技術(shù)，此項技術(shù)的高可靠性經(jīng)過(guò)多年量產(chǎn)的消費性電子芯片和要求更嚴格的航天、汽車(chē)和醫療設備芯片以及其他抗輻射產(chǎn)品（如模數轉換器）的檢驗。 這兩款器件具有多項優(yōu)異性能，包括僅5 ppm （典型值）的溫度系數，經(jīng)由激光校對可達 +/- 0.15% 的精確度，以及器件之間卓越的溫度曲線(xiàn)匹配性；而寬達40µA至12mA的陰極電流范圍，可確保在維持靈活性的同時(shí)保證精確度和穩定性。 除優(yōu)異的電氣性能外，兩款新產(chǎn)品還兼具同級最佳的抗電離總劑量 (TID, Total Ionization Dose) 和單粒子效應 (SEE, Single Event Effect) 的抗輻射性能，無(wú)ELDRS 效應高達 300krad （在劑量率達到很高水平時(shí)，芯片的主要參數仍可保持穩定），完全不受單粒子閉鎖效應 (Latch-up) 的影響 (在120 MeV.cm2/mg / 125°C下仍不發(fā)生單粒子閉鎖效應)，發(fā)生單粒子瞬變效應的概率極低 (截面SET Cross section < 3.10-4) 。輻射效應持續時(shí)間極短，且幅度很低。 新產(chǎn)品在歐洲設計、并在取得認證后開(kāi)始制造，配有大量的定性數據、全套宏單元 (Pspice, Eldo, ADS) 和演示板。 詳情請訪(fǎng)問(wèn): www.st.com/radhard-vref-nb |
