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ALLIANCE新推出覆蓋1 GB，2 GB和4 GB密度的高速CMOS DDR3，78球和96球FBGA封裝 加州圣卡洛斯,2014/7/26-- Alliance Memory（聯(lián)盟記憶）今天推出了一個(gè)新的第三代高速CMOS雙數據率同步DRAMs (DDR3 SDRAM)和低壓DDR3L SDRAMs。容量為1 Gb,2 Gb,4 Gb，9mm FBGA78球狀封裝。規格為10.5mm*1.2mm和FBGA96球狀封裝，規格為13mm*1.2mm。今天發(fā)布的器件為雙倍數據速率架構，提供高達1600 Mbps極快的轉移率和800 MHz的時(shí)鐘頻率。 公司以最小收縮管芯提供可靠DDR3(1.5 V)和DDR3L(1.35 V)SDRAMs，類(lèi)似引腳兼容替代的解決方案，以結合新一代微處理器用于工業(yè)、消費者、和通信應用中——不再需要昂貴的重新設計和部分風(fēng)險評估。 AS4C128M8D3、AS4C64M16D3、AS4C128M16D3、AS4C256M8D3、AS4C256M16D3和AS4C512M8D3、DDR3 SDRAMs工作電壓從一個(gè)+ 1.5 V(雙±0.075 V)電源、AS4C64M16D3L、AS4C128M8D3L、AS4C128M16D3L、AS4C256M8D3L、AS4C256M16D3L、AS4C512M8D3L DDR3L SDRAMs工作從一個(gè)+ 1.35 V電源。器件提供0°C---+ 95°C的商業(yè)溫度范圍和-40°C---+ 95°C的工業(yè)溫度范圍。 DDR3和DDR3L SDRAMs提供64M,128M,256M和512M,x 8bit或16bit可內部配置8個(gè)扇區。器件提供完全同步操作,并提供可編程4或8bit的可變長(cháng)度讀或寫(xiě)。自動(dòng)預充電功能可變時(shí)序結束時(shí)提供啟動(dòng)自定時(shí)行預充電。易于使用的功能包括自動(dòng)刷新或者自刷新,和一個(gè)允許系統選擇最合適模式的可編程寄存器,從而最大限度地提高性能。 器件的(Pb)和無(wú)鹵適用RoHS規范。 |
