S70KS1283GABHB020，S70KS1283GABHI020，S27KS0642GABHV020存儲器

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明佳達，星際金華供求 S70KS1283GABHB020，S70KS1283GABHI020，S27KS0642GABHV020存儲器



S70KS1283GABHB020 200MHz 35ns PSRAM 存儲器 IC

產(chǎn)品描述
S70KS1283GABHB020 是高性能嵌入式系統的理想之選，該系統需要擴展內存，用于刮板或緩沖。

功能特點(diǎn)
相移時(shí)鐘用于在讀取數據眼內移動(dòng) RWDS 轉換邊沿
200 MHz 最大時(shí)鐘速率

集成電路芯片 35ns S70KS1283GABHI020 128Mbit SPI - 八進(jìn)制 I/O 存儲器 IC

產(chǎn)品說(shuō)明
S70KS1283GABHI020 是一款高速、低引腳數、低功耗的自刷新動(dòng)態(tài) RAM (DRAM)，適用于需要擴展存儲器用于刮板或緩沖的高性能嵌入式系統。

特性
DDR - 在時(shí)鐘的兩個(gè)邊沿上傳輸數據
數據吞吐量高達 400 MBps（3,200 Mbps）
可配置的突發(fā)特性

S27KS0642GABHV020 DRAM HyperRAM 存儲器 IC 64Mbit 24-VBGA 表面貼裝

產(chǎn)品描述
S27KS0642GABHV020 的 DRAM 單元不能在讀取或寫(xiě)入事務(wù)期間刷新，這就要求主機限制讀取或寫(xiě)入突發(fā)傳輸的長(cháng)度，以便在需要時(shí)進(jìn)行內部邏輯刷新操作。

特性
線(xiàn)性突發(fā)
封裝突發(fā)長(cháng)度
混合選項 - 一個(gè)封裝突發(fā)后是線(xiàn)性突發(fā)