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其具有與E系列600V和650V MOSFET相同的優(yōu)點(diǎn)：高效率和高功率密度 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其500V系列高壓MOSFET新增11顆新器件，這些器件適合應用在功率不超過(guò)500W的開(kāi)關(guān)電源。這些Vishay Siliconix MOSFET具有與E系列600V和650V器件相同的優(yōu)點(diǎn)極低導通損耗和開(kāi)關(guān)損耗等，可幫助客戶(hù)達到更高的性能/效率標準，例如某些高性能消費類(lèi)產(chǎn)品、照明應用，以及ATX/銀盒PC開(kāi)關(guān)電源所要求的嚴格的80 PLUS轉換效率標準。 
今天推出的這些500V MOSFET采用第二代超級結技術(shù)制造，為基于標準平面技術(shù)的Vishay現有的500V D系列提供了高效率的補充產(chǎn)品。器件的電流從12A到20A，具有190mΩ～380mΩ的低導通電阻和22nC～45nC的超低柵極電荷，這種組合為功率轉換應用提供了十分有利的優(yōu)值系數(FOM)。 器件的低導通電阻還有助于提高功率密度，同時(shí)其更快的開(kāi)關(guān)速度可提高如功率因數校正(PFC)、雙開(kāi)關(guān)正激轉換器和反激式轉換器等典型硬開(kāi)關(guān)拓撲的效率。 器件符合RoHS，可承受雪崩和換流模式里的高能脈沖，并且保證限值通過(guò)100%的UIS測試。 器件規格表：
新的500V功率MOSFET現可提供樣品，并已實(shí)現量產(chǎn)，供貨周期為十六周到十七周。 |
