為了滿(mǎn)足當今市場(chǎng)對產(chǎn)品小型化、高能效的需求，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出了全新的CoolMOS PFD7高壓MOSFET系列，為950V 超結（SJ）技術(shù)樹(shù)立了新的行業(yè)標準。全新950V系列具有出色的性能和易用性，采用集成的快速體二極管，可確保器件的穩健性，同時(shí)降低了BOM（材料清單）成本。該產(chǎn)品專(zhuān)為超高功率密度和超高效率的產(chǎn)品設計量身打造，主要用于照明系統以及消費和工業(yè)領(lǐng)域的開(kāi)關(guān)電源（SMPS）應用。
新產(chǎn)品系列適用于反激式、PFC和LLC/LCC設計，包括使電源換向變得穩定而可靠的半橋或全橋配置。通過(guò)集成具有超低反向恢復電荷（Qrr）的超快速體二極管，該系列產(chǎn)品實(shí)現了硬換向的穩健性和可靠性，并成為該電壓級別中更穩健的超結 MOSFET，可適用于目標應用中的所有拓撲結構。此外，開(kāi)關(guān)損耗（EOSS、QOSS和Qg）的大幅降低也提高了硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)應用的使用效率，與900V CoolMOS C3 超結 MOSFET相比，MOSFET溫度最高可降低4開(kāi)爾文。相較以前，新產(chǎn)品更為綠色環(huán)保，其輕載和滿(mǎn)載PFC效率提高了0.2%以上，同時(shí)可滿(mǎn)足LLC效率要求。 新產(chǎn)品系列降低了各種采用SMD封裝和THD封裝的器件的導通電阻（RDS(on)）值，最高可降低55%，例如DPAK封裝中器件的導通電阻值為450 mΩ或TO247封裝中器件的導通電阻值為60 mΩ。設計人員可通過(guò)減小封裝尺寸、大幅提高功率密度并節省電路板空間，降低BOM成本和生產(chǎn)成本。其柵極-源極閾值電壓（V(GS),th）為3V，V(GS),th最低變化范圍為±0.5V，可方便新器件的設計導入和驅動(dòng)，提高了設計自由度；利用低閾值電壓和容差可避免使用MOSFET線(xiàn)性模式，降低了驅動(dòng)電壓和閑置損耗。另外，與CoolMOS C3相比，新產(chǎn)品系列的柵極電荷改善了60%，大大降低了驅動(dòng)損耗，而且能夠達到人體放電模型（HBM）（2級靜電放電敏感度）標準，保證了靜電放電（ESD）的穩健性，進(jìn)而減少了與ESD有關(guān)的設備故障，提高了產(chǎn)量。 供貨情況 全新950 V CoolMOS PFD7系列提供高度精細化的產(chǎn)品組合并采用SMD和THD封裝，外形尺寸更小，可幫助提高功率密度、節省BOM成本。所有產(chǎn)品型號現已開(kāi)始供貨。更多信息，請訪(fǎng)問(wèn)www.infineon.com/pfd7-950v。 |
