在靜態(tài)開(kāi)關(guān)應用中，電源設計側重于最大程度地降低導通損耗、優(yōu)化熱性能、實(shí)現緊湊輕便的系統設計，同時(shí)以低成本實(shí)現高質(zhì)量。為滿(mǎn)足新一代解決方案的需求，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴大其CoolMOS S7 系列高壓超結（SJ）MOSFET 的產(chǎn)品陣容。該系列器件主要適用于開(kāi)關(guān)電源（SMPS）、太陽(yáng)能系統、電池保護、固態(tài)繼電器（SSR）、電機啟動(dòng)器和固態(tài)斷路器以及可編程邏輯控制器（PLC）、照明控制、高壓電子保險絲/電子斷路器和（混動(dòng)）電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器等應用。
該產(chǎn)品組合進(jìn)行了重要擴充，新增了創(chuàng )新的 QDPAK頂部冷卻（TSC）封裝，能夠在較小的封裝尺寸內實(shí)現豐富的功能。這些特性使得該器件在低頻開(kāi)關(guān)應用中極具優(yōu)勢，同時(shí)還可以降低成本。得益于新型大功率 QDPAK 封裝，這款器件的導通電阻值僅為 10 mΩ，在市場(chǎng)上同電壓等級產(chǎn)品中以及采用SMD 封裝的產(chǎn)品中屬于最低值。CoolMOS S7/S7A 解決方案通過(guò)最大程度地降低 MOSFET 產(chǎn)品的導通損耗，提高了整體效率，并提供了一種簡(jiǎn)單易用且經(jīng)濟高效的方式來(lái)提高系統性能。 CoolMOS S7 電源開(kāi)關(guān)還借助已改進(jìn)的熱阻來(lái)有效管理散熱，通過(guò)采用創(chuàng )新、高效的 QDPAK 封裝，減少甚至消除了固態(tài)設計中對散熱器的需求，從而使系統變得更加緊湊和輕便。該系列 MOSFET產(chǎn)品提供頂部散熱和底部散熱兩種封裝形式，均能夠抵御高脈沖電流，并應對突然的浪涌電流。此外，該系列 MOSFET產(chǎn)品還具有體二極管的穩健性，能夠確保在交流線(xiàn)路換向期間可靠運行。 由于所需的元器件較少，CoolMOS S7系列高壓超結（SJ）MOSFET能夠減少零部件的數量，進(jìn)而實(shí)現靈活的系統集成，降低BOM（材料清單）成本和總體擁有成本（TCO）。同時(shí)，該系列MOSFET 產(chǎn)品還能縮短反應時(shí)間，尤其在斷開(kāi)電流時(shí)，能夠更加平穩、高效地運行。 供貨情況 用于靜態(tài)開(kāi)關(guān)的全新 600 V 工業(yè)級 CoolMOS S7 和車(chē)規級 CoolMOS S7A 超結MOSFET ，均提供頂部冷卻（TSC）和底部冷卻（BSC）QDPAK封裝（PG-HDSOP-22）兩種封裝形式可供選擇，新產(chǎn)品現已開(kāi)放訂購。如需了解更多信息，請訪(fǎng)問(wèn) www.infineon.com/s7 和www.infineon.com/s7a。 |
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